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공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[143]
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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self bias (rf 전압 강하)
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657 |
공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제...
[2] | 26031 |
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656 |
충돌단면적에 관하여
[2] | 25568 |
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655 |
스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요?
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654 |
플라즈마의 정의
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653 |
dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐
[3] | 25351 |
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652 |
PECVD 매칭시 Reflect Power 증가
[2] | 24629 |
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651 |
RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동
[1] | 24587 |
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650 |
스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다..
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649 |
Reflrectance power가 너무 큽니다.
[1] | 24464 |
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648 |
ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의
[1] | 24361 |
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플라즈마가 불안정한대요..
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H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점...
[1] | 24294 |
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645 |
반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다.
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플라즈마에 관해 질문 있습니다!!
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Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제
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OES 원리에 대해 궁금합니다!
[1] | 23776 |
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plasma and sheath, 플라즈마 크기
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640 |
플라즈마 쉬스
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N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요
[2] | 23339 |
