최근 온실 GAS 문제로 인하여 Etch공정 gas를 변경하고 있는 개발을 추진하고있다고 어느 강연에서 교육을 받았습니다.

 

제가 궁금한 점은 변경되는 Etch공정 gas 로인하여 Pump 내부의 부식에 대한 부분입니다. (Pump 는 대부분 주철로 구성됨)

 

혹시 부식성Gas에 대한 부식rate가 따로 존재하는지 궁금합니다.

 

Gas마다 부식의 정도 값 으로 정의 된것이 있을까요?

 

예로) CHF3 에서 C6F12O 로 대채 한다고 하는데 부식의 정도가 어느정도 바뀌는지가 궁금합니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] 76817
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20246
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57188
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68739
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92577
55 PECVD 고온 공정에서 증착 막으로의 열전달 관련 문의드립니다. [1] 339
54 플라즈마 에너지가 온도를 높혀주는 역할 [1] 325
53 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 322
52 RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] 319
51 E-field plasma simulation correlating with film growth profile [1] 319
50 RF sputter 증착 문제 질문드립니다. [1] file 316
49 Plasma 장비 소재 특성 관련하여 문의드립니다. [1] 313
48 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] 292
47 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 275
46 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] 264
45 RF 스퍼터 관련 질문이 있습니다. [1] 264
44 Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] 253
43 대기압 플라즈마 문의드립니다 [1] 251
42 Edge ring의 역할 및 원리 질문 [1] 250
» GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 250
40 플라즈마 밀도와 라디칼 [1] 240
39 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 234
38 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 225
37 Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] 216
36 플라즈마 제균 탈취 가능 여부 [1] 210

Boards


XE Login