Sheath RF 전압인가 시 LF와 HF 에서의 Sheath 비교
2023.01.11 20:48
안녕하십니까 식각 관련 업무를 배우고 있는 엔지니어입니다. 알아본 바로는 LF일 때의 Sheath 영역이 HF일때보다 더 두껍다, 크다 라고 알고 있습니다. 이온의 이동성으로 생각해봤을 때, LF일 때가 HF일때 보다 이온이 반응할 수 있는 시간이 길고 이동이 더 가능하다. 즉, 이온의 밀집지역이 전극에서 더 멀어져있다, Sheath 영역이 더 두껍다 라고 이해했는데 이 생각이 맞는지 궁금합니다.
그리고 etch 진행시 LF power를 인가하면 Ion bombardment를 이용할 수 있다고 했는데, Sheath 영역이 더 두껍기 때문에 Ion을 끌어오기 더 용이해서라고 이해하면 되는지 궁금합니다. 답변주시면 감사하겠습니다.
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] | 76774 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20224 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57178 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68721 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92388 |
| 731 | ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] | 24345 |
| 730 | [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [3] | 24319 |
| 729 | Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 | 24174 |
| 728 | 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! | 24122 |
| 727 | self Bias voltage | 24044 |
| 726 | plasma and sheath, 플라즈마 크기 | 23976 |
| 725 | 플라즈마 쉬스 | 23938 |
| 724 | Arcing | 23818 |
| 723 | N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] | 23762 |
| 722 | 플라즈마 물리학책을 읽고 싶습니다. | 23445 |
| 721 | 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? | 23388 |
| 720 | HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 | 23334 |
| 719 | CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. | 23264 |
| 718 | DC glow discharge | 23248 |
| 717 | 고온플라즈마와 저온플라즈마 | 23131 |
| 716 | No. of antenna coil turns for ICP | 23100 |
| 715 | 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) | 23072 |
| 714 | CCP/ICP , E/H mode | 22994 |
| 713 | 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. | 22944 |
| 712 | floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [2] | 22853 |