안녕하세요 김곤호 교수님.

저는 RF 관련 업무를 하는 회사원입니다.

다름이 아니라 RF calibration에 대해 질문 드리고 싶은데요,

RF calibration의 원리와 mechanism이 어떻게 되는건가요?

Open, short, load 소자에 대한 측정값과 기본 응답 값 사이의 차이를 계산해서 보상한다, cable길이에 의한 위상차를 보정하고 주변 잡음에 의한 영향을 상쇄하는 과정이다.

 

정도만 알고 있고, 자세한 메커니즘은 찾아보기 힘들어 질문 드립니다. 그러다보니 캘리브레이션을 할 때 기계적으로 버튼을 누른다는 생각을 지울수가 없네요...

 

calibration 되는 메커니즘에 대한 설명 부탁드립니다!

더불어 고주파(수M~수백MHz) 수준의 주파수를 cal할때 주의점이 있다면, 주의점도 알려주시길 부탁드립니다

 

감사합니다. 새해복많이 받으십시오

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [182] 75027
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 18871
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56344
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 66872
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 88354
399 OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다. [1] 5779
398 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 5594
» RF calibration에 대해 질문드립니다. 5529
396 안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다. [3] 5400
395 RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] 5329
394 코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다. [1] file 5311
393 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5146
392 O2, N2, Ar 플라즈마에 대한 질문입니다. [2] 5027
391 ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] 5006
390 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 4710
389 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 4709
388 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] 4695
387 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 4679
386 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 4322
385 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4320
384 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 4031
383 the lines of magnetic  induction are frozen into the perfectly conducting material에 대한 질문 [1] file 3965
382 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 3829
381 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3788
380 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 3762

Boards


XE Login