DC glow discharge 플라즈마 압력에 대하여

2017.11.10 11:27

physw35 조회 수:2727

안녕하세요 현재 2차원물질 공정을 연구하는 석사과정 대학원생입니다.

이 공정중에는 플라즈마 처리가 있는데요

power가 커짐에 따라 챔버내부의 빛도 밝아지는 것을 볼수 있는 반면에

압력을 30에서 120mTorr으로 증가시켰을때는 어두워지는 것을 관찰하였습니다.

power와 마찬가지로 압력도 밝기에 비례할것이라고 예상하였는데 어떤 이유가 있는지 궁금합니다.


감사합니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] 76743
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20213
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57169
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68705
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92299
469 자료 요청드립니다. [1] 6207
468 O2, N2, Ar 플라즈마에 대한 질문입니다. [2] 6183
467 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6071
466 코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다. [1] file 6002
465 OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다. [1] 5927
464 안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다. [3] 5903
463 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5855
462 RF calibration에 대해 질문드립니다. 5811
461 RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] 5677
460 ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] 5534
459 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5455
458 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5272
457 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] 5153
456 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 5069
455 CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다. [1] file 4945
454 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4810
453 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [3] 4487
452 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 4322
451 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4274
450 플라즈마 색 관찰 [1] 4261
쓰기
태그

Boards

XE Login