SiO2 를 RPSC를 이용하여 NF3로 Cleaning을 진행하는 일을 하고 있습니다.

NF3 단독으로 사용하는 것보다 O2를 혼합시 더 잘되는것으로 논문에서 보고 하고 있는데요,

그 원리 및 Mechanism이 궁금합니다.

학자님들의 고견 부탁 드립니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76649
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20146
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57146
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68668
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92120
467 자료 요청드립니다. [1] 6205
466 O2, N2, Ar 플라즈마에 대한 질문입니다. [2] 6168
465 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6062
464 코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다. [1] file 5975
463 OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다. [1] 5923
462 안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다. [3] 5894
» SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5804
460 RF calibration에 대해 질문드립니다. 5800
459 RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] 5669
458 ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] 5506
457 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5445
456 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5245
455 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] 5139
454 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 5049
453 CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다. [1] file 4837
452 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4791
451 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [3] 4442
450 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 4311
449 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4262
448 플라즈마 색 관찰 [1] 4232

Boards


XE Login