matcher를 봤을 때 직렬은 tune 병렬은 load라 튠값으로는 리액턴스를 로드 값으로는 저항성분에 대해 알 수 있다고 알고 있는데요

가끔 로드랑 튠 값이 흔들리고 산포가 좋지 않을 때가 있다합니다. 이렇게 값들이 흔들리는 이유로는 전체적으로 뭐가 있을까요?

또 plasma를 켰을 떄 매쳐의 로드와 튠 값에 영향을 주는 이자들은 무엇들이 있을까요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] 76875
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20274
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57199
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68751
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92698
477 O2, N2, Ar 플라즈마에 대한 질문입니다. [2] 6252
476 자료 요청드립니다. [1] 6209
475 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6097
474 코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다. [1] file 6044
473 OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다. [1] 5936
472 안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다. [3] 5931
471 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5917
470 RF calibration에 대해 질문드립니다. 5829
469 RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] 5689
468 ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] 5578
467 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5477
466 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5353
465 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] 5188
» 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 5099
463 CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다. [1] file 5092
462 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4844
461 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [3] 4528
460 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 4344
459 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4317
458 플라즈마 색 관찰 [1] 4301

Boards


XE Login