ATM Plasma 플라즈마를 이용한 오존 발생장치 [Ozone과 Plasma]
2004.06.19 17:13
질문에 혼돈이 있는 이유는 플라즈마를 이용한 오존 발생기가 있기 때문입니다. 다시 이야기 하면 오존을 만들기에 적합한 플라즈마 발생 방치들이 있다는 말입니다. 이와 다른 방법으로 오존을 만드는 예에대해서는 저는 잘 아지 못하고 다만 플라즈마를 이용한 오존 발생장치를 예로 하겠습니다. 최근에는 DBD 방법으로 산소 플라즈마를 만들다 보면 많은 오존에 형성되게 됩니다. 또한 Corona 방전, 대부분 고전압 펄스 방전에서 형성되는 플라즈마를 의미하는데 이를 대기압 상태에서 형성시키다 보면 공기 중 산소에 의해서 오존이 다량 셩성되기도 합니다. 앞에서 말한 Corona 방전기, 대기압 방전, DBD등은 이전 설명을 참고하시고 이들 방전기를 플라즈마 발생기의 한 종류라 생각할 수 있으며 일반적인 플라즈마 발생기에 비해서 높은 운전 압력, 즉 대기압 등의 조건에서 플라즈마를 발생하는 장치, 큰 의미의 플라즈마 발생기라 할 수 있습니다.
참고로 플라즈마라는 표현은 플라즈마 상태를 의미하는 것으로 물질의 상태 중 하나입니다. 따라서 대부분의 개스는 플라즈마 상태를 만드는 대상이 될 수 있으며 산소를 포함하지 않은 개스를 플라즈마 상태로 만들 경우 물론 오존의 발생 가능성은 거의 없습니다.
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [312] | 79204 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 21246 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 58052 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 69609 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 94394 |
803 | RF에 대하여... | 32303 |
802 | ICP 플라즈마에 관해서 [2] | 32219 |
801 | RF Plasma(PECVD) 관련 질문드립니다. | 31762 |
800 | DC Bias Vs Self bias [전자 에너지 분포] [5] | 31741 |
799 | [Sputter Forward,Reflect Power] [Sputter와 matching] [1] | 31318 |
798 | [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문에 대한 답변 드립니다. | 30263 |
797 | 플라즈마 밀도 [Langmuir 탐침과 플라즈마의 밀도] | 30237 |
796 | PECVD에서 플라즈마 demage가 발생 조건 [쉬스와 플라즈마 밀도에 의한 damage] | 29902 |
795 | matching box에 관한 질문 [ICP Source 설계] [1] | 29800 |
794 | 플라즈마의 정의 | 29583 |
793 | 물질내에서 전하의 이동시간 | 29422 |
792 | OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [Etching] [1] | 29206 |
» | 플라즈마를 이용한 오존 발생장치 [Ozone과 Plasma] | 29033 |
790 | 압력과 플라즈마 크기의 관계가 궁금합니다. [Mean free path] [1] | 28951 |
789 | Arcing [전하 축적에 의한 방전 개시] [1] | 28753 |
788 | 플라즈마와 자기장의 관계 | 28634 |
787 | 반도체 관련 질문입니다. | 28606 |
786 | esc란? | 28178 |
785 | sheath와 debye sheilding에 관하여 [전자와 이온의 흐름] | 28077 |
784 | 탐침법 | 28020 |