Plasma in general CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다.
2019.10.17 14:03
안녕하세요! 저는 ICP와 CCP 에쳐장비를 이용해서 산화물 반도체 식각 연구를 진행중인 석사과정 학생입니다.
기존의 ICP 에처를 이용하였을때에는 기존 페이퍼의 경향대로 bias power 증가시 Etch rate 증가하는 결과를 얻을 수 있었는데요!
CCP 장비를 이용하고 나서는 오히려 Power 증가할 때 Etch rate가 감소하는 현상을 보였습니다.
사용한 가스는 CH4 H2 Ar 혼합가스 이고 Power는 150W , 180W에서 실험을 진행했는데 Etch rate는 반토막이 나서 결과를 이해하는데 어려움을 겪고 있습니다.
Power 증가시 Ion energy 및 dissociation 증가로 radical flux 또한 증가하게 될터이니, 당연히 Etch rate까지 증가하는게 맞다고 생각하는데요,( power 이외의 gas flow rate , temperature, pressure 등의 조건은 모두 동일합니다.)
다만 한가지 의심이 드는건, ion bombardment + Radical의 Chemical reaction이 진행하는 경우보다 Ion의 sputtering을 진행하는 메커니즘이 dominent해지기 때문일 것이라는 생각이 드는데...
이부분에 대해서 설명을 부탁드리기 위해 글을 남겼습니다. 감사합니다
댓글 3
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] | 76864 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20265 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57197 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68750 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92667 |
337 | N2 Blowing Ionizer 사용 시 궁금점 질문 드립니다. [1] | 1820 |
336 | wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] | 1808 |
335 | Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] | 1770 |
334 | 터보펌프 에러관련 [1] | 1769 |
333 | ICP와 CCP에서의 Breakendown voltage [1] | 1758 |
332 | CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] | 1750 |
331 | 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문 [1] | 1707 |
» | CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] | 1704 |
329 | 다중 주파수를 이용한 플라즈마 식각에서 이온 에너지 제어 관련 [1] | 1699 |
328 | RF 전압과 압력의 영향? [1] | 1691 |
327 | 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] | 1676 |
326 | Pecvd 장비 공정 질문 [1] | 1673 |
325 | Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여 [1] | 1670 |
324 | EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] | 1669 |
323 | standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] | 1637 |
322 | ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] | 1623 |
321 | CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] | 1622 |
320 | 전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다. [1] | 1607 |
319 | O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] | 1568 |
318 | plasma 형성 관계 [1] | 1544 |