self bias에 대해서 정확히 알고 계십니다. Matching network에 직렬C 가 있음으로 M/N을 사용할 때 Blocking C는 필요없게 됩니다.
아울러 Insulator를 Electrode위에 놓은 상태라면 이 Insulator가 C 역할을 하게 됨으로 이때도 Blocking C가 없어도 self bias가 형성됩니다. 또한 대부분의 반응기에 전극들의 면적비가 상당합니다. 이유는 반응용기 자체를 접지 전극으로 생각학 수 있기 때문입니다.
이점 참고하시기 바랍니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] | 76736 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20206 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57168 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68702 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92280 |
249 | Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [1] | 1177 |
248 | PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] | 1174 |
247 | Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] | 1169 |
246 | 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] | 1164 |
245 | 대학원 진학 질문 있습니다. [2] | 1157 |
244 | O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 | 1157 |
243 | 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] | 1156 |
242 | RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] | 1156 |
241 | 공정플라즈마 [1] | 1145 |
240 | Group Delay 문의드립니다. [1] | 1144 |
239 | 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. | 1141 |
238 | 자기 거울에 관하여 | 1139 |
237 | 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] | 1132 |
236 | 전자 온도 구하기 [1] | 1131 |
235 | wafer bias [1] | 1129 |
234 | Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] | 1121 |
233 | 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] | 1118 |
232 | MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] | 1117 |
231 | RF 반사파와 이물과의 관계 [1] | 1113 |
230 | 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] | 1113 |
이 현상을 다음과 같이 이해하면 어렵지 않습니다. A/B 양면을 갖는 capacitor에 한쪽 (A)에는 rf전압을 인가되고 다른 한쪽(B)에는 가벼운 전자와 무거운 이온들로 구성된 플라즈마가 있습나다. A에 인가된 전
압에 따라서 B면에도 위상차가 나지만 전압이 유도될 것 입니다. B면에 유도되는 전압에 따라서 표면과 접촉하던 플라즈마 내의 전자와 이온들이 거동을 시작하면 표면으로 흘러들어 올 것 입니다. 한 주기 내에서 볼때 양의 전위가 B에 유도되면 전자들이 음의 전위가 유도되면 이온들이 표면으로 입사 될 것입니다. 이때 전자의 유동도가 이온의 유동에 비해서 매우커서, 즉 질량차에 의해서 보다 많은수의 전자들이 B면에 축적되게 될 것이며 주기가 반복되면서 표면의 전위를 계속해서 음으로 낮추는 결과를 초래합니다. 하면 언제까지 표면이 음전위를 갖게 될 것인가 하는 질문이 남습니다. 앞의 과정이 계속되면 표면 음전위가 낮아짐으로써 무거운 이온들이 더욱 가속을 받아 속도가 빠르게 되고 반대로 전자들은 속도가 점차 늦어 지게 되면서, 속도와 밀도를 곱한 값 flux, 즉 표면으로 흘러들어오는 전자 전류의 크기와 이온전류의 크기가 같아지는 조건을 만족하게 됩니다. (이는 capacitor임으로 직접 전류가 흐를 수 없기때문에 표면에서의 총 전류값이 0이 되어야 하는 조건을 만족합니다.) 이때 형성되는 B표면의 DC 전위를 Self Bias라 합니다. 따라서 insulator/혹은 semiconductor의 표면에 전압을 인가하기 위해서느 이 방법이 가장 유효하여 반도체 제조에는 늘 사용되는 방법입니다.