Matcher RF 반사파와 이물과의 관계

2021.02.25 14:33

이재학 조회 수:1127

안녕하십니까 교수님

디스플레이 업체에서 현재 CVD설비 공정분석을 담당하고 있는 이재학입니다.

 

Chamber별로 RF Reflect의 수준이 상이하며, 검사기에 검출되는 불량수와 양의 관계로 확인되고 있습니다.

 

 

1. RF Reflect 발생으로 인해 내부 이물이 과생성되는 건지

 

2. 내부 이물로 의해 RF Reflect가 점점 커지는지 의문입니다.

 

 

1의 경우 Load/Tune을 통해 내부 이물을 제어하는 평가를 진행하려하고

 

2의 경우 Parts 교체와 재질변경을 통해 RF Reflect를 낮추는 방향으로 진행하려합니다.

 

 

교수님의 견해로는 어느방향에 유의차가 있을지 문의드립니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] 76875
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20274
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57199
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68751
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92698
257 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1192
256 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 1192
255 RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] file 1186
254 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 1182
253 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1172
252 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] 1172
251 대학원 진학 질문 있습니다. [2] 1171
250 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 1164
249 공정플라즈마 [1] 1157
248 Group Delay 문의드립니다. [1] 1151
247 전자 온도 구하기 [1] file 1149
246 자기 거울에 관하여 1146
245 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1143
244 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] 1142
243 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 1140
242 wafer bias [1] 1138
241 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 1135
240 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 1133
239 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1130
» RF 반사파와 이물과의 관계 [1] 1127

Boards


XE Login