|
공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[85]
| 2361 |
|
공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
| 12954 |
|
공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
| 49619 |
|
공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
| 61116 |
|
공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
[2]
| 79628 |
|
619 |
공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제...
[2] | 25724 |
|
618 |
self bias (rf 전압 강하)
| 25677 |
|
617 |
스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요?
| 25297 |
|
616 |
충돌단면적에 관하여
[2] | 25241 |
|
615 |
dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐
[3] | 24927 |
|
614 |
PECVD 매칭시 Reflect Power 증가
[2] | 24452 |
|
613 |
RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동
[1] | 24450 |
|
612 |
스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다..
| 24314 |
|
611 |
Reflrectance power가 너무 큽니다.
[1] | 24242 |
|
610 |
플라즈마가 불안정한대요..
| 24220 |
|
609 |
ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의
[1] | 24218 |
|
608 |
H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점...
[1] | 24010 |
|
607 |
반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다.
 | 23817 |
|
606 |
Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제
| 23624 |
|
605 |
plasma and sheath, 플라즈마 크기
| 23476 |
|
604 |
N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요
[2] | 23117 |
|
603 |
플라즈마 쉬스
| 23062 |
|
602 |
HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생
| 22994 |
|
601 |
플라즈마 물리학책을 읽고 싶습니다.
| 22935 |
|
600 |
CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점.
| 22919 |
