CCP CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점.
2010.01.28 19:44
안녕하세요? 궁금한게 있어서 여쭤봅니다.
Source는 CCP방식입니다. 13.56MHz로 구동되고 matcher 단에서 low pass filter를 통해 나오는 Vdc 값을 모니터링합니다.
그런데 Source 전극에 anodizing처리를 했는데 품질이 좋지 못한 anodizing의 경우에는 Vdc 값이 "-"로 뜨는데 고품질 anodizing의 경우에는 "+"값을 띕니다.
고품질의 경우에는 CCP 소스면에서 완전히 floating되어서 그러는것 같은데
정확한 메카니즘을 이해할 수 없어서 문의드립니다.
왜 "+"값을 나타내는지에 대해 설명해 주실수 있는지요?
플라즈마 방전은 저품질이나 고품질 모두 이상없이 뜹니다.
댓글 0
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] | 76733 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20204 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57168 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68701 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92280 |
| 749 | 플라즈마 온도 | 27780 |
| 748 | DBD란 | 27719 |
| 747 | 플라즈마 상태와 RF MATCHING관계 문의 사항 | 27617 |
| 746 | 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [2] | 27209 |
| 745 |
이온과 라디칼의 농도
 | 26996 |
| 744 | self bias (rf 전압 강하) | 26713 |
| 743 | 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] | 26469 |
| 742 | dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [3] | 26187 |
| 741 | 충돌단면적에 관하여 [2] | 26163 |
| 740 | OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] | 26123 |
| 739 | 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? | 25582 |
| 738 | PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] | 24987 |
| 737 | 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. | 24874 |
| 736 | Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] | 24854 |
| 735 | RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] | 24773 |
| 734 | ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] | 24747 |
| 733 | plasma와 arc의 차이는? | 24666 |
| 732 | H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] | 24646 |
| 731 |
반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다.
| 24582 |
| 730 | 플라즈마가 불안정한대요.. | 24517 |