Deposition PECVD Uniformity

2023.11.07 09:14

매직가든 조회 수:556

PECVD를 이용하여 SiO2를 증착할경우 중심부가 더 증착이 많이되거나 Uniformity가 좋지 않은 것으로 알고있습니다.

 

이를 해결하기위한 방한이 생각보다 잘 나오지 않아서 이렇게 질문드립니다.

 

제 생각에는 

 

1. 전극과 기판사이의 거리를 멀게하여 wafer상의 plasma 균일도 높이기
2. N2와 같은 비활성 기체를 함께 주입하여 precursor를 희석 및 분산시켜 uniformity 높이기
3. 그냥 장착한 뒤, over etch진행하기하기


이러한 방법은 가능한 방법들일까요??

 

다른 방법엔 어떤것들이 있는지 알려주시면 정말 감사하겠습니다

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] 76912
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20299
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57218
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68770
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92746
759 플라즈마 온도 27818
758 DBD란 27757
757 플라즈마 상태와 RF MATCHING관계 문의 사항 27653
756 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [2] 27220
755 이온과 라디칼의 농도 file 27023
754 self bias (rf 전압 강하) 26751
753 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] 26489
752 dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [3] 26221
751 OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] 26216
750 충돌단면적에 관하여 [2] 26188
749 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? 25588
748 PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] 24991
747 Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] 24894
746 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. 24893
745 RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] 24780
744 plasma와 arc의 차이는? 24768
743 ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] 24766
742 H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] 24673
741 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 24623
740 플라즈마가 불안정한대요.. 24525

Boards


XE Login