Etch 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다.
2021.10.22 11:47
안녕하세요.
반도체 제조회사에 재직중인 엔지니어입니다.
텅스텐(W) Etch 을 하고자 하는데,
SF6를 Main Gas로 사용하고자 하는데,
SF6이외에 O2,N2,Ar 을 혼합하여 사용한 논문을 찾을 수 있었습니다.
텅스텐 하부에는 TiN Silicide Layer가 있는데
해당 TiN Silicide 에 Damage를 적게 주고 Loading Effect 가 적은 조건에서 Etch을 하면서
Etchrate 를 높이기 위해서는
SF6+N2 / SF6+Ar 중에 어떤 Gas 조건이 더 효과가 있는지 궁금합니다.
추가로 식각시 어떤 차이점이 있는지 알려주시면 감사하겠습니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [181] | 74898 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 18754 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56234 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 66727 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 88158 |
| 139 | RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] | 783 |
| 138 | 문의 드립니다. [1] | 776 |
| 137 | MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] | 775 |
| 136 | RF MATCHING 관련 교재 추천 부탁드립니다 [1] | 764 |
| 135 | 플라즈마 장치 관련 기초적 질문입니다. [1] | 764 |
| 134 | 방전수 활성종 중 과산화수소 측정에 관련하여 질문드립니다. [1] | 755 |
| 133 | RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] | 741 |
| 132 | 플라즈마 충격파 질문 [1] | 739 |
| 131 | 새집 증후군 없애는 플러스미 - 플라즈마에 대해서 [1] | 736 |
| 130 |
RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계
[1]  | 721 |
| 129 | etch defect 관련 질문드립니다 [1] | 719 |
| 128 | 매쳐 출력값 검토 부탁 드립니다. [1] | 718 |
| 127 | O2 Asher o-ring 문의드립니다. [1] | 711 |
| 126 | CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [1] | 711 |
| 125 | Collisional mean free path 문의... [1] | 701 |
| 124 | DBD Plasma Actuator 원리에 대한 질문입니다. [1] | 701 |
| 123 | ICP lower power 와 RF bias [1] | 699 |
| 122 | 안녕하세요 플라즈마의 원초적인 개념에서 궁금한 점이 생겨서 질문드립니다. [1] | 695 |
| 121 | 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] | 693 |
| 120 | anode sheath 질문드립니다. [1] | 692 |
metal 쪽 식각 공정에서 표면 화학 반응에 대해서는 성균관대학교 염근영교수님 연구실을 추천합니다.
먼저 플라즈마 생성 관점에서 보면 SF6 플라즈는 음이온 생성으로 플라즈마 생성이 어려운데, Ar 등은 Ar* (여기 아르곤)형성으로 플라즈마 만들기가 수월합니다. 반면 N2 는 N 과 N으로 나누어지고 이온화가 이뤄지는 반응이 커서 플라즈마 생성에 에너지가 많이 들어갑니다.
따라서 플라즈마 생성 관점에는 Ar 사용이 좋겠고, 표면에서 반응은 Ar이 질량이 커서 sputtering etching 효과도 N 보다 나을 것 같습니다. 여기서 한가지 더 생각할 점은 Ar은 W과 결합하지 않습니다. 불활성 가스이지요. 하지만 N는 W-N 박막을 만들 수 있고, 이는 film 형성으로 식각률이 떨어질 수 있겠습니다.