현재 제조업 개발 엔지니어로 근무중인데 Dry Etch에 관한 이론적인 접근이 필요한것 같아서 질문드립니다.

 

현재 공정중 정전기에관한이슈가 커서 완화 방안에 대한 검토를 하고있습니다.

 

무기막(Sio2, SiNx) Etch를 진행하고있고, Gas는 CF4/O2 약 1:1비율로 사용하고있습니다.

 

1. Source , Bia Power 하향

  → Plasma 생성 및 전위차가 낮아져 정전기 발생 적어짐 기대(But Etch Time이 길어짐)

2. CF4 유량비 상향

  → O2가 Rich하면 정전기가 많이 발생한다고하는데 메커니즘을 잘 모르겠습니다

     (But CF4 상향시 이방성 Etch증가로 Taper 안좋아짐)

3. 압력에 대한영향성?

  → 이부분에 대해서는 영향성이 있는지 문의드립니다 상향을 하면 개선이 될수도있다고는 하는데..

4. 제전 Step추가? Etch 중간에 제전을 넣으면 효과가 있을는지 궁금합니다.

 

이론적으로 많이 부족합니다. 많은 도움 주시면 감사하겠습니다.

 

감사합니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [126] 5571
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16853
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51343
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64184
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84145
70 활성이온 측정 방법 [1] 456
69 analog tuner관련해서 질문드립니다. [1] 454
» ICP Dry Etch 진행시 정전기 발생에 관한 질문입니다. [1] 448
67 프리쉬스에 관한 질문입니다. [1] 442
66 Interlock 화면.mag overtemp의 의미 440
65 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 432
64 Bais 인가 Cable 위치 관련 문의 [1] 432
63 Shield 및 housing은 ground 와 floating 중 어떤게 더 좋은지요 [2] 431
62 CF3의 wavelength가 궁금해서 질문드립니다. [1] 428
61 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] 428
60 ICP 대기압 플라즈마 분석 [1] 427
59 해수에서 플라즈마 방전 극대화 방안 [1] file 427
58 전쉬스에 대한 간단한 질문 [1] 425
57 플라즈마를 통한 정전기 제거관련. [1] 411
56 간단한 질문 몇개드립니다. [1] 409
55 Tribo-Plasma 에 관해서 질문드리고 싶습니다. 403
54 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 400
53 RF 파워서플라이 매칭 문제 392
52 코로나 방전 처리 장비 문의드립니다. [1] 388
51 핵융합 질문 [1] 384

Boards


XE Login