Etch doping type에 따른 ER 차이

2022.02.22 19:14

우화리 조회 수:273

안녕하세요.

 

반도체 식각 산업에 몸담고 있는 이주현입니다.

 

 

다름이 아니라 Doping type 별 ER이 달라짐이 확인되어 그 메커니즘에 대한 고견을 얻고자 글을 씁니다.

 

 

Gas는 Cl2 N2 base로

 

Si (non-doping) VS SiGe(non-doping) 에서는 

SIGe가 Etch Rate이 더 빨랐는데

 

Si (p doping/ nmos) VS SiGe(Ga doping / pmos) 에서는 

Si (p doping/ nmos) 경우가 Etch Rate이 빨랐습니다.

 

혹시 도핑만으로 Etch Rate이 바뀔 수 있을까요?

 

P doping을 하게 되면 전자가 하나 남고 이게 Cl을 더 빠르게 붙도록 유도해서 

그 결과 Etch Rate이 더 높은걸까요?

 

Bonding energy나

Gibbs energy를 찾아보았지만 모든 수치를 확인하지 못해서

결론을 못내리고 있습니다.

 

 

추가로 gibbs energy 수치가 plasma etch rate에 영향을 줄까요?

 

 

감사합니다.

 

이주현 드림. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [110] 4873
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16212
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51247
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63741
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 83500
36 PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] 351
35 수중방전에 대해 질문있습니다. [1] 350
34 magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] 341
33 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 340
32 크룩수의 음극선도 플라즈마의 현상인가요? [1] 335
31 플라즈마 관련 교육 [1] 331
30 연속 Plasma시 예상되는 문제와 횟수를 제한할 경우의 판단 기준 [1] file 319
29 입자에너지에따른 궤도전자와 핵의 에너지loss rate file 318
28 자외선 세기와 결합에너지에 대해 질문드립니다. [1] 307
27 VPS 공정에서 압력변수관련 질문입니다. [1] 306
26 KM 모델의 해석에 관한 질문 [1] 293
25 염소발생 전기분해 시 스파크 발생에 관해 질문드립니다. [1] file 293
24 Co-relation between RF Forward power and Vpp [2] 292
23 Fluoride 스퍼터링 시 안전과 관련되어 질문 [1] 291
22 Massbalance equation 에서 P(t) 유도과정 288
21 RF 파워서플라이 매칭 문제 [1] 279
» doping type에 따른 ER 차이 [1] 273
19 H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [1] 273
18 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [1] 273
17 RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] 238

Boards


XE Login