CCP CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점.
2010.01.28 19:44
안녕하세요? 궁금한게 있어서 여쭤봅니다.
Source는 CCP방식입니다. 13.56MHz로 구동되고 matcher 단에서 low pass filter를 통해 나오는 Vdc 값을 모니터링합니다.
그런데 Source 전극에 anodizing처리를 했는데 품질이 좋지 못한 anodizing의 경우에는 Vdc 값이 "-"로 뜨는데 고품질 anodizing의 경우에는 "+"값을 띕니다.
고품질의 경우에는 CCP 소스면에서 완전히 floating되어서 그러는것 같은데
정확한 메카니즘을 이해할 수 없어서 문의드립니다.
왜 "+"값을 나타내는지에 대해 설명해 주실수 있는지요?
플라즈마 방전은 저품질이나 고품질 모두 이상없이 뜹니다.
댓글 0
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] | 76677 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20152 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57151 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68672 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92184 |
| 727 | ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] | 24318 |
| 726 | [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [3] | 24302 |
| 725 | Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 | 24171 |
| 724 | 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! | 24120 |
| 723 | self Bias voltage | 24026 |
| 722 | plasma and sheath, 플라즈마 크기 | 23970 |
| 721 | 플라즈마 쉬스 | 23932 |
| 720 | Arcing | 23790 |
| 719 | N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] | 23756 |
| 718 | 플라즈마 물리학책을 읽고 싶습니다. | 23436 |
| 717 | 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? | 23377 |
| 716 | HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 | 23329 |
| » | CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. | 23259 |
| 714 | DC glow discharge | 23242 |
| 713 | 고온플라즈마와 저온플라즈마 | 23120 |
| 712 | No. of antenna coil turns for ICP | 23090 |
| 711 | 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) | 23054 |
| 710 | CCP/ICP , E/H mode | 22966 |
| 709 | 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. | 22939 |
| 708 | floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [2] | 22849 |