Process 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다
2020.08.20 13:11
안녕하세요
접착력 증가를 위한 플라즈마 처리를 하고 있습니다.
문제는 불소계필러가 들어간 이미드 필름을 에폭시에 붙이려하는데 잘되지 않아서
표면처리 후 접착력을 증가시켜 보려고합니다.
현재 Ar+H2 로 하고있고 접착력이 증가하긴 하지만 탁월한효과는 못보고있습니다.
혼합가스를 바꾸어보라는 말도있고 소스를 바꿔보라는 말도있던데
혼합가스 종류나 다른 방법이있을까요 ?
궁금합니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76728 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20191 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57167 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68700 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92278 |
| 729 | ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] | 24337 |
| 728 | [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [3] | 24310 |
| 727 | Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 | 24173 |
| 726 | 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! | 24122 |
| 725 | self Bias voltage | 24034 |
| 724 | plasma and sheath, 플라즈마 크기 | 23973 |
| 723 | 플라즈마 쉬스 | 23934 |
| 722 | Arcing | 23803 |
| 721 | N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] | 23758 |
| 720 | 플라즈마 물리학책을 읽고 싶습니다. | 23441 |
| 719 | 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? | 23382 |
| 718 | HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 | 23332 |
| 717 | CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. | 23261 |
| 716 | DC glow discharge | 23246 |
| 715 | 고온플라즈마와 저온플라즈마 | 23125 |
| 714 | No. of antenna coil turns for ICP | 23096 |
| 713 | 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) | 23060 |
| 712 | CCP/ICP , E/H mode | 22977 |
| 711 | 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. | 22943 |
| 710 | floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [2] | 22852 |
경험이 없어 원론적인 답변을 드립니다.
플라즈마 분위기를 이용하는 세정 방법은 플라즈마 생성 시 만들어지는 UV, 이온(물리적 에너지), 라디컬(화학반응) 을 복합적으로 이용할 수 있다는 장점을 이용합니다. 플라즈마 발생은 해리/여기 반응을 동반하므로, 플라즈마 상태에서는 앞의 반응 원천인자가 제공되고 있다고 할 수 있습니다. 여기에 가스를 혼합하는 경우는 화학적 반응물을 추가로 생성하기 위함일 수 있겠고, 이온의 에너지를 높이기 위해서는 시료를 DC 혹은 RF - self bias를 이용하기도 합니다. 아마도 소스를 바꾼다는 의미가 이들 조합의 차이를 유발하는 플라즈마 가열 방법의 차이를 의미합니다. 따라서 일반적인 접근 방법은 현재 플라즈마에서 산소 등의 세정 능력이 큰 가스, 라디컬 생성 가스를 이용하는 방법이 되겠고, 아르곤가스를 통합하면 방전이 보다 수월하고 화학적 성질의 변화가 적어 이 조합으로 시작하시면 될 것 같습니다.