안녕하십니까? 반도체장비업계에서 개발업무를 하고 있습니다.

PEALD 공정개발을 해왔지만, 플라즈마에 대한 근본적인 이해에 있어서 항상 부족함을 느끼는 바입니다.

최근 회사에서 Microwave 개발에 집중하도록 프로젝트를 진행 중인데,

RF와는 매우 다른 공정결과를 도출하고 있어 이를 하드웨어개발부터 공정개발까지 implement하는데 많은 애로사항을 겪고 있습니다.

공정개발에 있어서 보다 유의미한 시뮬레이션을 RF팀에 의뢰하려면 어떠한 시뮬레이션이 가장 film growth에 연관성이 높은 스터디가 될 수 있을지 알면 좋을텐데 방향성을 잡기 어려워 쉽사리 요청하기가 어려운 상황입니다.

현재는 Langmuir Probe를 이용하여 계측된 Ne를 토대로 E-field simulation을 수행하는 중인데,

이때 변수로는 Pressure, Gas Temperature, MW Frequency & Electron temperature (to consider power dependency) 등이 고려되었으며, Maxwellian distribution으로 Ne profile을 구했다고 합니다.

공정엔지니어 입장에서 simulation data와 process data의 correlation을 찾아보려 하지만 단순히 E-field의 영향보다 훨씬 더 큰 하드웨어적 영향이 있는 것으로 판단되는 상황입니다. 하여 질문을 드리자면 다음과 같습니다.

1. Depo profile에 참고할 수 있는, 유의미한 correlation을 가질 수 있는 Plasma simulation은 어떠한 종류가 있을 지

2. Power, Pressure등 main factor들을 흔들어봐도 웨이퍼 어느 특정 구역의 film이 확연하게 차이나도록 증착이 되지 않는 경우는 plasma의 instability 때문일 가능성이 높은 것인지 = Plasma 영역에 위치가 고정된 dark space? shade가 존재 할 수 있는지

3. 그렇다면 microwave의 한정된 좁은 process gap에서의 플라즈마 ignition과 방전을 유지할 수 있는 가장 핵심적인 요소는 무엇이 있을지

궁금합니다. 부족한 질문에 희망을 주시면 감사하겠습니다.