Plasma in general O2 plasma, H2 plasma 처리 관련 질문이 있습니다. [Chemical reaction과 pressure]
2020.05.28 12:04
안녕하세요. 저는 반도체 업종에서 근무하고 있습니다.
궁금한 점이 있어 질문드립니다.
Amorphous carbon 을 O2 분위기하에서 플라즈마 처리 할 경우 제거되는 지 궁금합니다.
또한 TIN 막을 H2 plasma 처리 할 경우 질소가 제거 된 TI가 되는 지 궁금합니다.
챔버 내 대기압 또는 진공상태가 위의 결과에 영향을 크게 미치는 지 궁금합니다.
감사합니다.
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화학 반응에 대해서는 전북대학교 임연호 교수님 (화공전공) 혹은 성균관 대학교 염근영 교수님 연구실로 문의해 보시는 것을 추천드립니다.
마지막 질문은 대기압과 진공상태에서 플라즈마를 만들었을 경우를 의미하는 것이라면, 일단 압력이 높으면 플라즈마 생성이 매우 어렵고 충돌로 인해 이온의 방향성이 매우 좋지 않습니다. 따라서 이온의 방향성 제어를 필요로 하는 식각 공정등에서는 낮은 압력을 사용하게 됩니다. 일반적으로 중성-전자 평균 충돌 거리를 기준으로 반응기 혹은 대상 시편 크기를 비교해서 충돌성의 크기 여부를 판단하기도 합니다. 따라서 위의 질문이 플라즈마 공정이라면 당연히 운전 압력이 공정에 미치는 영향은 매우 큽니다.