건식식각 방법에 크게 이온을 이용하는 스퍼터 식각과 라디컬을 이용하는 화학적 식각 그리고 이온, 라디칼 모두를 이용하는 RIE가 있는데 ICP와 CCP로 생성한 플라즈마를 이용해서 물리적,화학적,반응 이온성 식각을 진행하는것으로 이해하면 되는건가요?? 

차이점은 어떠한 가스를 넣느냐에 따라 물리적 식각만 이루어질수도 있고, 화학적 식각만 이루어질수도 있고, RIE식각만 이루어질 수도 있는건가요??

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [253] 76392
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19972
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57059
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68530
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91232
170 플라즈마가 생기는 메커니즘에 대한 질문입니다. [1] 13030
169 [기초]CCP Type에서의 Self-Bias(-Vdc) + Vp (plasma potential) 관련 질문입니다. [1] 12698
168 플라즈마에 대해서 꼭알고 싶은거 있는데요.. 12336
167 플라즈마 살균 방식 [2] 11388
166 DC bias (Self bias) [3] 11157
165 플라즈마 PIC 질문드립니다. [1] 10356
164 Ion Energy와 RF matchin관련 질문입니다. [1] 9482
163 진공챔버내에서 플라즈마 발생 문의 [1] 9163
162 안녕하세요 교수님. [1] 8969
161 RF & DC sputtering에 대해 질문드립니다. [1] 8920
160 Sheath와 Darkspace에 대한 질문입니다. [1] 8875
» ICP와 CCP는 단순히 플라즈마를 생서하는 방법인가요? [1] 8587
158 Lecture를 들을 수 없나요? [1] 8565
157 핵융합에 대하여 8560
156 플라즈마 발생 억제 문의 [1] 8108
155 MFP에 대해서.. [1] 7806
154 플라스마 상태에서도 보일-샤를 법칙이 적용 되나요? [1] 6531
153 저온플라즈마에 대하여 ..질문드립니다 ㅠ [1] 6459
152 플라즈마 기술관련 문의 드립니다 [1] 6413
151 O2 plasma, H2 plasma 처리 관련 질문이 있습니다. [1] 6413

Boards


XE Login