Sheath LF Power에의한 Ion Bombardment
2021.06.24 22:36
안녕하십니까 교수님!!.
가입없이 게시판으로 많은 가르침을 받아가다가 이제서야 질문이 있어 가입후 글을 쓰게 되었습니다.
PECVD에서..
HF는 electron 온도 증가로 인한 plasma density 향상
LF POWER의 증가는 ion bombardment 를 증가시켜 박막이 더 dense 해져 stress가 더 compressive쪽으로 간다라고 이해하는게 맞는 걸까요?
density가 높아지는데 compressive한 stress를 가진다고 하는 매커니즘이 잘 이해가 되질 않습니다.
(density가 높으면 (더 빽빽하게 증착되면) 밀려서 사이드쪽으로 늘어날려고 해서 compressive 스트레스를 가진다라고 혼자 이해했는데 맞는건지요.
막질의 density가 올라가면 compressive한 스트레스를 가지는게 항상 그런건지
(원래 Tensile한 막질이더라도 LF power 증가하면 Compressive한 방향으로 바뀌나요?)
아니면 막질마다 그 효과가 다른건지 궁금합니다.
추가로 HF영역에서는 frequency가 높으니 유효질량이 작고 mobility가 빠른 electron에 에너지를 더 가해주기 쉽고
반대로 LF영역에서는 frequency가 낮으니 상대적으로 질량이 크고 느린 ion에 에너지를 가해주기 쉽다고 이해하는게 맞는걸까요?
질문자체에 잘 못된 점이 있다면 바로 잡아주시면 감사하겠습니다!.
댓글 2
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] | 76736 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20206 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57168 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68702 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92280 |
233 | self bias [1] | 529 |
232 | 전쉬스에 대한 간단한 질문 [1] | 550 |
231 | Frequnecy에 따라 플라즈마 영역이 달라질까요? [1] | 558 |
230 | Arcing 과 Self-DC Bias Voltage 상관 관계 [1] | 564 |
229 | Plasma Reflect를 관리하는 방법이 있을까요? [1] | 580 |
228 | 간단한 질문 몇개드립니다. [1] | 587 |
227 | 수중 속 저온 플라즈마 방전 관련 질문 드립니다 [2] | 589 |
226 | Co-relation between RF Forward power and Vpp [1] | 594 |
225 | 프리쉬스에 관한 질문입니다. [1] | 596 |
224 | plasma 공정 중 색변화 [1] | 606 |
223 | 플라즈마를 알기 위해선 어떤 과목을 공부해야 할까요? [1] | 638 |
222 | RF magnetron sputtering시 플라즈마 off현상 [1] | 666 |
221 | 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [1] | 679 |
220 | 플라즈마 진단 공부중 질문 [1] | 687 |
219 | RF 주파수에 따른 차이점 [1] | 701 |
218 | 플라즈마를 통한 정전기 제거관련. [1] | 708 |
217 | 코로나 전류가 0가까이 떨어지는 현상 [1] | 709 |
216 | Ion과 Radical의 이동 거리 및 거리에 따른 농도와 증착 품질 관련 [1] | 737 |
215 | 교수님 질문이 있습니다. [1] | 745 |
214 | Hollow Cathode glow Discharge 실험 관련해서 여쭤보고싶습니다. [1] | 759 |