안녕하세요

플라즈마를 공부하는 대학원생입니다.

질문내용은 플라즈마내 전자온도의 의미입니다. 높고낮다는건 에너지가 높고 낮음을 얘기 할수도 있다고 하는데요.
높으면 에너지가 상대적으로 커서 다른 particle에 에너지를 많이 줄수 잇다는 의미인가요? 이 맥락은 플라즈마내 heating이론과 연관되어 있는것 같은데 EEDF와도 연관이 있는데 도무지 연결을 어떻게 해서 이해를 해야하는지요

또한 ICP에선 공정압력증가시 전자온도가 감소하는 이유는 무엇인지요 ..그리고 파워증가시에도 점차 감소하는 경향은
어떻게 설명해야하는지요.. 파워증가시 밀도도 당연히 증가하는데 이러한 상태에서 전자온도가 1-2eV로 작은경우
etch공정시의 어떤장점(미세패턴의 식각)에 유리하다고 하는데 그이유는 무엇인지요..

답변 부탁드립니다..