self bias에 대해서 정확히 알고 계십니다. Matching network에 직렬C 가 있음으로 M/N을 사용할 때 Blocking C는 필요없게 됩니다.
아울러 Insulator를 Electrode위에 놓은 상태라면 이 Insulator가 C 역할을 하게 됨으로 이때도 Blocking C가 없어도 self bias가 형성됩니다. 또한 대부분의 반응기에 전극들의 면적비가 상당합니다. 이유는 반응용기 자체를 접지 전극으로 생각학 수 있기 때문입니다.
이점 참고하시기 바랍니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] | 76827 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20250 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57192 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68740 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92580 |
55 | 핵융합 발전에서는 폐기물이 않나오는 .... | 18568 |
54 | 주변의 플라즈마에 대하여 | 18654 |
53 | 전자온도에 대하여 궁금한 사항이 있습니다. [1] | 18751 |
52 | 등온플라즈마와 비등온플라즈마 | 18768 |
51 | 플라즈마에 관하여... | 18962 |
50 | 플라즈마를 손으로 만질 수는 없나요?? | 19095 |
49 | 질문이 몇가지 있읍니다. [1] | 19194 |
48 | [Q]플라즈마 생성위한 자유전자라는게 뭐죠? | 19325 |
47 | 터보분자펌프에 대해서 질문 좀 하고 싶어요! | 19357 |
» | self bias [1] | 19476 |
45 | [re] 터보분자펌프에 대해서 질문 좀 하고 싶어요! | 19550 |
44 | smsith chart 공식 유도하는 방법? | 19658 |
43 | cross section 질문 [1] | 19720 |
42 | CCP의 Vp가 ICP의 Vp보다 높은 이유 | 20010 |
41 | 플라즈마 진동수와 전자온도 | 20063 |
40 | 형광등과 플라즈마 | 20255 |
39 | 확산펌프 | 20518 |
38 | Three body collision process | 20650 |
37 | 교재구입 | 20725 |