건식식각 방법에 크게 이온을 이용하는 스퍼터 식각과 라디컬을 이용하는 화학적 식각 그리고 이온, 라디칼 모두를 이용하는 RIE가 있는데 ICP와 CCP로 생성한 플라즈마를 이용해서 물리적,화학적,반응 이온성 식각을 진행하는것으로 이해하면 되는건가요?? 

차이점은 어떠한 가스를 넣느냐에 따라 물리적 식각만 이루어질수도 있고, 화학적 식각만 이루어질수도 있고, RIE식각만 이루어질 수도 있는건가요??

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] 76768
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20224
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57174
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68718
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92356
154 O2, N2, Ar 플라즈마에 대한 질문입니다. [2] 6185
153 OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다. [1] 5930
152 RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] 5679
151 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] 5157
150 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4819
149 RF chamber에서.. particle(부유물) 와 RF reflect power연관성 [1] 4187
148 ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] 3963
147 RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [4] 3788
146 진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해 [1] 3761
145 Descum 관련 문의 사항. [1] 3725
144 방전에서의 재질 질문입니다. [1] 3558
143 Gas 별 Plasma 색 관련 질문입니다. [1] 3454
142 코로나 방전의 속도에 관하여... [1] 3444
141 Bias 관련 질문 드립니다. [1] 3418
140 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 3394
139 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 3313
138 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] 3208
137 아르곤이나 기타 플라즈마 토치에 소량의 수증기를 집어넣으면 온도가 떨어지는 현상에 대해서 3166
136 CVD 공정에서의 self bias [1] 3108
135 PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] 2769

Boards


XE Login