Others RF power에 대한 설명 요청드립니다.
2017.03.29 14:50
PLASMA에 영향이 있는 ICP챔버의 경우에 대한 Parameter 해석관련 질문드립니다.
공식으로 알고 있는 이해보다 왜 그런지 쉬운 설명으로 메카니즘 해석 좀 부탁드리겠습니다.
제가 잘못알고 있거나 일부분만 알고 있는 내용일수 있는데 이점 양해 부탁드립니다.
책을 보았으나 혼동되는 부분이 있어 개념을 잡으려고 합니다..
* RF bias POWER는 전자밀도 와 비례 , ion flux 와 비례하는걸로 알고 있습니다.
1. electron density 와 비례한다면 ,,, ion density는 영향이 없는건가요?
2. 전자밀도가 높으면 쉬쓰 두께는 왜 줄어드나요?
충돌확률이 왜 전자밀도와 반비례인가요? 밀도가 높은데 충돌확률이 왜 떨어지는지 잘 모르겠습니다..
3. debye length 인/척력이 이온이나 전자의 가속과 관련이 있는건가요..?
입자의 속도는 밀도와 온도에만 관련있다고 알고 있는데 인/척력이 나오니 좀 헤깔리네요;;
4. ICP type에서 RF source power는 bias power 와 ion이나 전자 거동이 어떻게 다른지 궁금합니다.
사실 제가 RF(source power 상단부) Reflect power 부분이 관심이 많습니다..
- Bias voltages depend on gas : √Te/Kiz(Te) ~ d
- ω↑ → n↑ → sheath 두께 δsh↓ → 플라즈마 size d↑ → 전자온도 Te↓
→ 충돌확률 νm↓ →
Diffusion D↑ →
more symmetric → Vdc-bias↓ → Vdc-sh↓
- δsh ∝ ω-1 , d (plasma width) = characteristic length - sheath width
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