플라즈마 쉬스
플라즈마에서 생기는 쉬스(외장)이 전위차는 플라즈마 경계에서 생깁니다. 따라서 질문하신 내용, 즉 식각 플라즈마 내에서 wafer
stage 위의 wafer가 직접 플라즈마와 만나고 있음으로 이때 쉬스 전위는 wafer와 플라즈마 사이에 형성되는 것입니다. 물론, 만일
wafer를 제거하게 되면 당연히 stage표면과 플라즈마가 만나니 이 두 경계면에서 쉬스가 형성되겠지요. 아울러 stage위에 wafer와
같은 부도체 물체가 놓여 있는 경우 wafer표면에는 self bias에 의해서 전위가 낮아지게 됩니다. (도체에서는 이 같은 현상이 생
기지 않습니다.) 따라서 플라즈마는 wafer 표면의 전위를 자신의 경계면 전위로 생각하고 그 겨예 영역에서 쉬스가 형성됩니다.
질문자의 경우와 같은 식각 플라즈마에서 wafer bias를 인가하여 etching을 하는 경우 이 두가지, self bias와 sheath를 함께 생각
해야 합니다.
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [88] | 2925 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 14129 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 50058 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 62371 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] | 80753 |
237 | DC 글로우 방전 원의 원리 좀 갈켜주세여.. | 134010 |
236 | SCCM 단위에 대하여 궁금합니다. | 117915 |
235 | VPP, VDC 어떤 FACTOR 인지 알고 싶습니다. [1] | 51869 |
234 | Self Bias | 35667 |
233 | RF frequency와 RF power 구분 | 33725 |
232 | 물질내에서 전하의 이동시간 | 29246 |
231 | 플라즈마 밀도 | 28753 |
230 | 반도체 관련 질문입니다. | 28458 |
229 | 플라즈마와 자기장의 관계 | 27161 |
228 | sheath와 debye shielding에 관하여 | 26742 |
227 | 플라즈마 온도 | 26519 |
226 |
이온과 라디칼의 농도
![]() | 26209 |
225 | self bias (rf 전압 강하) | 25765 |
224 | 충돌단면적에 관하여 [2] | 25285 |
223 | 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! | 23559 |
222 | plasma and sheath, 플라즈마 크기 | 23512 |
» | 플라즈마 쉬스 | 23111 |
220 | 플라즈마 물리학책을 읽고 싶습니다. | 22982 |
219 | self Bias voltage | 22686 |
218 | DC glow discharge | 22681 |