Plasma in general low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜.
2021.04.09 12:04
안녕하세요, 교수님. 반도체 업종 엔지니어로 일하고 있는 김기영입니다.
다름 아니라 보통 Pressure 영역대가 낮아질수록 아킹이 더 잘 발생한다고 하는데
왜 Low Pressure 영역이 High Pressure 영역보다 Arcing 이 취약한지 문의드립니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] | 76736 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20206 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57168 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68702 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92280 |
93 | 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] | 1237 |
92 | 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] | 1226 |
91 | 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] | 1156 |
90 | Group Delay 문의드립니다. [1] | 1144 |
89 | 자기 거울에 관하여 | 1139 |
88 | 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] | 1132 |
87 | 전자 온도 구하기 [1] | 1131 |
86 | wafer bias [1] | 1129 |
85 | 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] | 1118 |
84 | MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] | 1118 |
83 | 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] | 1081 |
82 | Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] | 1050 |
81 | DC Plasma 전자 방출 메커니즘 | 1038 |
80 | 플라즈마 코팅 [1] | 1036 |
79 | 진학으로 고민이 있습니다. [2] | 1030 |
78 | 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] | 1011 |
77 | 아래 382 번 질문에 대한 추가 질문 드립니다. [1] | 1000 |
76 | RF tune position 과 Vrms의 관계가 궁금합니다 [1] | 968 |
75 | 3-body recombination 관련 문의드립니다. [2] | 962 |
74 | O2 Plasma 에칭 실험이요 [1] | 959 |
아크 발생을 이해하기 위해서는 파션커브를 이해해 보시면 좋을 것 같습니다. 파괴전압-압력x길이(전극간의 거리 혹은 평균충돌 거리)로 pd 곡선이라고도 합니다. 본 게시판에서 글로우 방전, 파센곡선(커브) 으로 찾아 보시면 압력과 전기장과 재료 특성이 방전 개시에 미치는 영향이 있음을 이해하시는 데 도움이 클 것입니다. 아울러 챔버 내 기구 내에서 아크 및 벽면 분순물 근방 혹은 SH에서의 아크 등의 현상을 이해하시는데 도움이 됩니다.