안녕하세요? 궁금한 사항이 있어 게시글을 남깁니다.

플라즈마를 통한 CCP etcher 의 경우 PE모드와 RIE모드가 있는것으로 알고 있습니다.

이 두경우는 상부전극에 RF를 걸어주느냐, 하부기판에 RF를 걸어주느냐에 따라 분류됨을 알고있습니다.

그런데 쉬스의 경우에는 RIE 모드에서만 기판 가까이 형성이 되고, PE 모드에서는 기판에 형성이 되지 않는다는

자료를 보아서, 궁금하여 질문을 드립니다.

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 76978
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20332
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57252
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68800
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92795
158 O2, N2, Ar 플라즈마에 대한 질문입니다. [2] 6277
157 OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다. [1] 5939
156 RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] 5701
155 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] 5197
154 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4858
153 RF chamber에서.. particle(부유물) 와 RF reflect power연관성 [1] 4226
152 ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] 4009
151 RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [4] 3901
150 진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해 [1] 3824
149 Descum 관련 문의 사항. [1] 3750
148 방전에서의 재질 질문입니다. [1] 3560
147 Gas 별 Plasma 색 관련 질문입니다. [1] 3505
146 Bias 관련 질문 드립니다. [1] 3464
145 코로나 방전의 속도에 관하여... [1] 3450
144 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 3450
143 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 3386
142 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] 3253
141 아르곤이나 기타 플라즈마 토치에 소량의 수증기를 집어넣으면 온도가 떨어지는 현상에 대해서 3167
140 CVD 공정에서의 self bias [1] 3164
» PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] 2804

Boards


XE Login