Plasma Source 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할.

2023.06.26 10:34

ETCH식각 조회 수:443

안녕하세요. 현재 ETCH 공정엔지니어를 직업으로 하고 있습니다.

 

다름이 아니라 ETCH 공정에 많은 Route 중 Metal Etch 공정에 관해 질문 드립니다.

 

METAL을 ETCH 할 경우 주 GAS로는 BCL3 + CL2 를 이용하고 추가적으로 N2, CHF3, CH4의 부수적인 GAS를 사용 합니다.

 

이러한 GAS 중 CH4 GAS의 용도 및 역할에 대해서 상세히 알고 싶습니다..

 

도움 부탁드립니다. 감사합니다.

 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [234] 75748
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19430
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56659
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 67984
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 90190
146 대기압 플라즈마 문의드립니다 [1] 87
145 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [1] 391
144 N2 GAS를 이용한 Plasma에 대한 질문 [1] 399
» 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할. [1] 443
142 안녕하세요 CLEAN GAS 관련 질문이 있습니다. [1] 282
141 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [1] 477
140 PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] 834
139 ICP lower power 와 RF bias [1] 1143
138 CCP RIE 플라즈마 밀도 [1] 476
137 진공수준에 따른 RF plasma 영향 관련 질문 [1] file 517
136 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] 844
135 plasma striation 관련 문의 [1] file 389
134 RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] file 960
133 Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [1] 908
132 CCP Plasma 해석 관련 문의 [1] file 836
131 방전수 활성종 중 과산화수소 측정에 관련하여 질문드립니다. [1] 786
130 CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다. [1] file 3682
129 N2 / N2O Gas 사용시 Plamsa 차이점 [1] 1242
128 연속 Plasma시 예상되는 문제와 횟수를 제한할 경우의 판단 기준 [1] file 526
127 ICP Dry Etch 진행시 정전기 발생에 관한 질문입니다. [1] 731
쓰기
태그

Boards

XE Login