Others N2 Blowing Ionizer 사용 시 궁금점 질문 드립니다.
2015.07.03 19:27
안녕하세요 교수님.
Display 회사에서 근무중인 김민철입니다.
제가 질문드리고자 하는 내용은 a-Si표면에 N2 Blowing Ionizer 사용 시 어떤 반응이 생기는지에 대해 궁금증이 있어 문의드립니다.
Display 공정 중 Excimer laser annealing 전에 Ionizer를 진행 하는데 이때 정전기 제거가 아닌 다른 영향을 줄 수 있는가에 대해 연구중입니다.
아래 다른 게시글을 참조해보니 N2 Ionizer 사용 시 N2가 분해되어 (+)이온이된다고 하셨는데 이러한 이온이나 N, O, electron 등이 a-Si 표면에 있는 Si의 dangling bond와 결합을 할수있는 지가 궁금 합니다.
이를 통해 후공정으로 진행하는 Excimer laser annealing을 진행할 때, Si의 결정화에 영향을 미칠지가 궁금합니다.
만약 영향을 줄 수 있다면 Si의 어떤 결합이 생기고 반도체의 성질에 어떤 영향이 있을지요 (ex) 불순물로 인한 Doping 장벽 역활 등등...
논문이나 자료를 찾기위해 플라즈마와 관련하여 검색중에 교수님 이름이 많아 조언 부탁드리게 되었습니다.
바쁘실테지만 상기 내용에 대해서 조언 부탁드립니다.
감사합니다.
댓글 1
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- Nitrogen Reaction in Plasma.docx [File Size:24.7KB/Download:292]
- Kessels et al. - 2004 - The growth kinetics of silicon nitride deposited from the SiH4–N2 reactant mixture in a remote plasma.pdf [File Size:289.2KB/Download:642]
- Kim - 1999 - Deposition kinetics of silicon dioxide from hexamethyldisilazane and oxygen by PECVD.pdf [File Size:219.3KB/Download:578]
- Rhallabi, Turban - 2001 - Study of the early stage of SiOsub 2 growth by a TEOS–Osub 2 plasma mixture using a three-dimensional Monte Ca.pdf [File Size:802.2KB/Download:385]
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첨부파일로 드리는 플라즈마에서의 N2+e 반응 경로를 보시면, N2가 N+, N2+ 및 다양한 중성종을 생성함을 확인할 수 있습니다. 특히 이온들은 최외각 전자가 하나 부족하므로 아직 결합을 이루지 못하고 있는 dangling bond 의 전자와 결합을 이룰 수 있습니다. N2 Ionizer 의 플라즈마 전자 에너지를 약 ~1 eV 를 가정할 시, N+, N2+ 등의 이온종이 생성되는 정도는 이온 생성 반응률을 볼 때 질소 분자 N2여기 반응의 0.1%, N2해리 반응의 1% 정도가 됩니다. 이는 플라즈마 내부에서 이온종이 무시 못할 만큼의 량으로 생성됨을 의미합니다.
참고하실 수 있는 논문들을 첨부합니다.