CCP plasma striation 관련 문의

2022.09.30 13:10

플라즈마공부 조회 수:485

 

안녕하세요 Plasma 해석 관련 공부 하고 있는 석사 과정 학생입니다. 매번 도움 주셔서 감사합니다 교수님.

 

다름이 아니라 plasma striation 현상에 대해 문의드리고 싶어 글 남깁니다.

 

일반적으로 반도체 드라이 에치 CCP 챔버에서는 저압 영역 (<100mTorr)에서 전극을 좁혀서 사용하는 것으로 알고있는데,

 

이때 Non Local electron kinetic에 의해 정전척의 직경 방향(x방향)으로 Plasma Striation 현상이 생긴다고 알고 있습니다.

(이미지 첨부하였습니다.)

 

Plasma Striation 현상이 발생하면 Plasma Uniformity가 안좋아지기 때문에 결과적으로 공정에 안좋은 영향이 될 것 같습니다.

 

1. Plasma Striation 현상이 있어도 Plasma Uniformity 를 위해 압력을 높이거나 Electrode 간격을 늘리지 않는 이유가 궁금합니다.

   (Plasma Striation 현상이 있더라도 공정에 미치는 영향성이 적어서 그런걸까요?)

 

2. Plasma Striation 현상을 보완하기 위한 실제적인 방법이 궁금합니다.

   (저압 조건일때 특히 Non Local electron kinetic이 잘 일어나는데 그렇다고 압력을 높이면 플라즈마 밀도가 떨어질 것이기 

    때문에 개선하기 위해 다른 여러 방법이 있을것 같습니다.)

 

3. Plasma Striation 현상을 기준하기 위한 방법이 있나요?

   상용 Fluid Model S/W에서 Simulation 으로 해석한 결과 Striation 현상같은데, 정확히 그 기준을 알고 싶습니다.

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