COMSOL을 사용하여 CF4/Ar 플라즈마를 연구하던 도중 관련 논문을 읽었는데 다음과 같은 내용이 있었습니다. 

 

논문 제목: 유체시뮬레이션을 통한 Ar/CF4 자화유도결합 플라즈마의 특성 연구

"SiO2와 달리 Si 식각과정에서 탄소가 식각에 참여할 수 없기 때문에 표면에 탄소 또는 불화탄소 계열 의 화학종들이 누적되려는 경향이 있다. 이는 식각 선택도를 얻 는 중요한 채널이 된다. 선택도를 증가시키기 위해서는 플라즈마 체적내의 불소 농도를 탄소 또는 불화탄소 계열의 중성 입자에 비해 감소시킬 필요가 있다[20]. 따라서 자화유도결합 플라즈마 는 탄소의 증가율이 불소의 증가율보다 높아 실리콘 식각 시 선 택도를 높일 수 있을 것으로 보여 진다." 

 

위 내용에서 궁금한점이 3가지 있습니다. 

1. SiO2와 달리 Si 식각과정에서는 탄소가 식각에 참여할 수 없기 때문에 라고 되어있는데 SiO2 식각에는 C가 참여할 수 있나요??

2. Si 표면에 탄소 및 불화탄소 화학종이 누적되면 식각 선택도가 중요한 이유가 무엇인가요?

3. 제가 이해한 내용은 "Si/SiO2 시각 시 Si 표면에는 탄소와 불화탄소 화학종에 의해 표면이 보호되어 F의 식각으로부터 보호, SiO2는 F에 의해 식각되어 선택비가 좋아진다" 라고 이해했는데 제가 이해한 내용이 맞나요??

 

시간 내어 읽어주셔서 감사합니다. 

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 76958
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20320
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57241
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68789
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92781
162 DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] 36
161 Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. 74
160 Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [1] 86
159 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] 96
158 RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] 100
157 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] 124
156 Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] 128
» CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [1] file 170
154 ICP에서 전자의 가속 [1] 173
153 skin depth에 대한 이해 [1] 180
152 CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여 [2] file 196
151 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] 207
150 ICP에서의 Self bias 효과 [1] 207
149 대기압 플라즈마 문의드립니다 [1] 259
148 플라즈마 에너지가 온도를 높혀주는 역할 [1] 334
147 ICP 방식에서 RF Foward Power를 상향하면 ER이 빨라지는 이유 [1] 374
146 H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [1] 440
145 안녕하세요 CLEAN GAS 관련 질문이 있습니다. [1] 452
144 Tribo-Plasma 에 관해서 질문드리고 싶습니다. 470
143 plasma striation 관련 문의 [1] file 489

Boards


XE Login