CCP CCP RIE 플라즈마 밀도

2023.01.16 22:20

왕킥 조회 수:573

안녕하세요 반도체산업으로 취업을 준비하는 학부생입니다.

학과 연구실에서 소자 제작 중 이방성 식각을 위해 RIE 장비를 사용하여 식각을 진행했습니다.

연구실 RIE 사용기술서를 보면 식각하고자 하는 샘플 외에도 패턴이 없는 샘플들을 추가로 주변에 같이

로딩하여 진행하게 되어있는데 정확한 이유를 잘모르겠습니다.

 

석사 선배들한테 질문한결과 샘플 모서리 부분에서 전계가 낮아지는 효과로 인해 식각률이 안쪽과 바깥쪽이 달라지는 이유

때문이라고 답을 들었지만 확신이 서지 않아 전문적인 지식을 갖추신 교수님께 정확한 확답을 듣고자 질문하게 되었습니다.

 

또한 챔버 안쪽과 바깥쪽에서의 식각률이 다르다는것은 플라즈마 밀도 부분에서 차이가 있어서 그런것인지 여쭤보도 싶고

ccp 설비에서 식각 균일도를 확보할 수 있는 해결 방안 역시 궁금합니다!

 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76692
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20152
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57159
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68681
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92218
158 Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] 65
157 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] 70
156 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] 79
155 CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [1] file 88
154 ICP에서의 Self bias 효과 [1] 97
153 skin depth에 대한 이해 [1] 106
152 ICP에서 전자의 가속 [1] 126
151 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] 140
150 CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여 [2] file 150
149 대기압 플라즈마 문의드립니다 [1] 248
148 플라즈마 에너지가 온도를 높혀주는 역할 [1] 317
147 ICP 방식에서 RF Foward Power를 상향하면 ER이 빨라지는 이유 [1] 348
146 안녕하세요 CLEAN GAS 관련 질문이 있습니다. [1] 428
145 H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [1] 432
144 Tribo-Plasma 에 관해서 질문드리고 싶습니다. 468
143 plasma striation 관련 문의 [1] file 468
142 수중방전에 대해 질문있습니다. [1] 499
141 Plasma에 의한 분해 및 치환 반응(질문) [1] 512
140 해수에서 플라즈마 방전 극대화 방안 [1] file 516
139 Remote plasma source의 주파수 400kHz 이유 [1] 526
쓰기
태그

Boards

XE Login