CCP 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가
2023.08.08 16:33
안녕하세요.
CCP 설비에서 RF 주파수를 증가하면 플라즈마 밀도가 증가를 하고 주파수를 감소하면 이온에너지가 증가한다고 합니다.
이중에 플라즈마 밀도가 왜 증가하는지 알려주면 감사하겠습니다.
저는 Dry Etch 엔지니어 입니다.
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Etcher 장비의 플라즈마 생성에 필요한 현상들을 공부하시면 직무 수행에 큰 도움이 될 것 같습니다. 본 게시판에서 ICP 및 CCP의 플라즈마 가열, stochastic heating, ohmic heating 등의 주제어를 찾아 보시길 추천드립니다.
주파수는 전기장의 흔들리는 초당 횟수를 의미합니다. 플라즈마 생성에서 전기장은 전자를 가속 에너지를 전달합니다. 플라즈마는 원자 및 분자의 이온화로 만들어지기 시작하는데, 이온화에 필요한 에너지는 가속이 용이한 전자가 이용됩니다. 이말을 묶어서 생각해 보시면 주파수에 따라 가열이 되는 원리를 찾으실 수 있을 것 같습니다. 게시판의 글의 도움을 받아 보세요.
여기서 한가지 주의하셔야 할 것이 있습니다. 주파수 중에서 전자가 가열되는 주파수가 있고, 이온을 가속시키에 적합한 주파수가 있습니다. 따라서 대부분의 CCP etcher 에서는 2중 주파수를 쓰는 이유도 설명이 됩니다. 게시판에서 플라즈마 주파수, IDEF 및 self bias 등을 찾아 보세요.
마지막으로 주파수 영향을 알았다면, 이를 공정에 어떻게 적용할 것인지? 즉 장비 운전 인자를 공정 개선에 어떻게 활용할 것인가? 의 고민이 질문의 목적일 수 있습니다. 이런 문제를 다루는 분야가 플라즈마 정보 기반의 공정진단 제어 기술 연구입니다. '공정진단' 주제어로 자료를 조사하면서 기술 개발 방향을 체계화하면 좋을 것 같아 추천합니다.
이와 관련해서 본 페이지에 '공정진단제어기술 연구회' 워크숍 공고가 있습니다. 식각 공정의 주파수 변화는 밀도 변화로 부터 공정 수율을 높이려는 리시피 개발 또는 장비 개발의 목적일 것입니다. 이과정을 체계화 하려는 시도가, 공정을 진단하고, 진단한 공정을 제어하는 기술의 연구가 활발하게 진행되고 있고, 최신 연구 동향을 소개하는 자리입니다. 관심을 가져 보시기 바랍니다.