ATM Plasma DBD플라즈마와 플라즈마 impedance
2004.06.21 15:14
DBD플라즈마와 플라즈마 impedance
질문이 두가지 입니다.
DBD플라즈마와 플라즈마 impedance
(1) DBD플라즈마 : 현재 저희 실험실에서는 주파수 별로 실험을 하고 있습니다. microwave를 이용하는것은 그 일부이고 microwave를
이용한 breakdown은 제가 보기에는 DBD에서의 플라즈마발생과 다른 것 같습니다. microwave에서는 field에 의한 breakdown이 주된
플라즈마 발생인 것 같으며 dielectric에 하전된 전하의 역할에 대해서는 잘 알지 못하고 있습니다. 계속 공부를 해야 할 사항입니다.
아울러 저희 실험실에서는 충돌성이 높은 플라즈마에서 탐침에 의한 자료를 얻어보려고 하고 있습니다. 이 또한 연구 결과가 나오는
대로 발표할 예정입니다.
(2) 플라즈마 impedance는 특히 pulse discharge에서는 dynamic 하게 바뀌기 때문에 매우 문제가 심각합니다. 따라서 시간에 따른
impedance변화에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있기도 합니다.
질문에서 말하고 있는 plasma impedance의 개념이 일반적인 개념과 차이가 있어보입니다. RF plasma발생에서 50 ohm impedance는
플라즈마의 것이 아닌 power supply의 impedance (real part)를 의미합니다. 즉 power supply의 impedance를 기준으로 matching
network가 형성되는 것입니다. 따라서 외부 impedance의 총량에는 matching system의 impedence, power line의 impedence(예로서
coaxial cable은 33pF/ft의 C를 갖습니다.)와 발생플라즈마의 impedance가 포함되며 이값들을 power supply의 50ohm에 맞추도록
matching network가 작동하게 됩니다. 물론 플라즈마의 온도와 밀도등이 바뀜에 따라서 플라즈마의 impedance가 바뀌게 되므로
matching network에서는 C나 L을 조절해서 보정해 나가게 됩니다. 간단하게 플라즈마의 impedance를 검사하는 방법으로는 Langmuir
probe에서 얻어진 I-V trace에서 I-V의 기울기의 역수에서 만들어진 plasma의 impedance를 예측할 수 있습니다
질문이 두가지 입니다.
DBD플라즈마와 플라즈마 impedance
(1) DBD플라즈마 : 현재 저희 실험실에서는 주파수 별로 실험을 하고 있습니다. microwave를 이용하는것은 그 일부이고 microwave를
이용한 breakdown은 제가 보기에는 DBD에서의 플라즈마발생과 다른 것 같습니다. microwave에서는 field에 의한 breakdown이 주된
플라즈마 발생인 것 같으며 dielectric에 하전된 전하의 역할에 대해서는 잘 알지 못하고 있습니다. 계속 공부를 해야 할 사항입니다.
아울러 저희 실험실에서는 충돌성이 높은 플라즈마에서 탐침에 의한 자료를 얻어보려고 하고 있습니다. 이 또한 연구 결과가 나오는
대로 발표할 예정입니다.
(2) 플라즈마 impedance는 특히 pulse discharge에서는 dynamic 하게 바뀌기 때문에 매우 문제가 심각합니다. 따라서 시간에 따른
impedance변화에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있기도 합니다.
질문에서 말하고 있는 plasma impedance의 개념이 일반적인 개념과 차이가 있어보입니다. RF plasma발생에서 50 ohm impedance는
플라즈마의 것이 아닌 power supply의 impedance (real part)를 의미합니다. 즉 power supply의 impedance를 기준으로 matching
network가 형성되는 것입니다. 따라서 외부 impedance의 총량에는 matching system의 impedence, power line의 impedence(예로서
coaxial cable은 33pF/ft의 C를 갖습니다.)와 발생플라즈마의 impedance가 포함되며 이값들을 power supply의 50ohm에 맞추도록
matching network가 작동하게 됩니다. 물론 플라즈마의 온도와 밀도등이 바뀜에 따라서 플라즈마의 impedance가 바뀌게 되므로
matching network에서는 C나 L을 조절해서 보정해 나가게 됩니다. 간단하게 플라즈마의 impedance를 검사하는 방법으로는 Langmuir
probe에서 얻어진 I-V trace에서 I-V의 기울기의 역수에서 만들어진 plasma의 impedance를 예측할 수 있습니다
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