RPSC(Remote Plasma Source Cleaning) 시 Pressure, Throttle Valve Position 관계에 대해 질문드립니다.

 

■ 목적

: PECVD Chamber를 주기적으로 SiNx 박막을 RPSC(NF3 사용)로 세정을 하는데, 세정 효율을 증가(=세정 시간 단축)시키고자 합니다.

 

■ 현상

: 저희 설비는 ① 압력을 고정(=Throttle Valve가 움직임)시키거나 ② Throttle Valve를 고정(=압력 변함)시키는 두 가지 방법 중 하나를 택합니다. 기존에는 Throttle Valve를 절반 정도 오픈되게 고정하고 RPSC를 진행합니다. 이때, RPSC 시간에 따른 압력 곡선은 하기와 같습니다.

제목 없음.png

반응식 : NF3 + SiNx → SiF4

 

RPSC 초기에는 SiNx + NF3이 폭발적으로 일어나는 초기에는 압력이 증가합니다. 이는 NF3와 SiNx 간 반응으로 SiF4가 형성되는 화학반응이 부피가 팽창하는 것으로 보입니다.

 

상기 곡선에서 Throttle Valve는 상시 Half Open입니다.

 

다음은 세정 효율을 증가(=세정 시간 단축)시키기 위한 세 가지 방안입니다.

 

 

■ 세정 효율 개선 방안(세정 시간 단축)

 

① RPSC 초기 Throttle Valve Full Open → RPSC 후기 Throttle Valve Half Open

RPSC 초기엔 폭발적인 반응으로 SiF4가 형성되는 데, 압력이 높아진다는 건 생성물(SiF4) 농도가 높음을 의미한다. 따라서 반응 초기에 Throttle Valve를 Full Open하여 SiF4를 배출시키면 NF3에 의한 세정 작용이 활발해질 것이다.

 

② RPSC 초기 Throttle Valve Half Open → RPSC 후기 Throttle Valve Full Open

RPSC 초기부터 Throttle Valve를 Full Open하면 생성물(SiF4)가 빠르게 제거되겠지만, 반응물(NF3)의 챔버 내 잔류시간이 줄어드므로 되려 효율이 낮아질 수 있다. 다만 압력이 Peak가 되는 시점에서 생성물(SiF4)의 농도가 높은 건 좋지 않으므로, RPSC 후기부터 Throttle Valve를 Full Open하여 RPSC 후기의 반응물(NF3) 농도를 높여 세정 효율을 높인다.

 

③ Throttle Valve를 고정하지 않고 압력을 고정

 

상기처럼 세 가지 방안 중 고민하고 있습니다. 세 가지 방안 중에서 적절해보이는 방안이나 그 밖에 제안해주실 수 있는 방안이 있으시면 조언 부탁드립니다.

 

항상 자세한 답변에 감사드립니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [335] 103728
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24747
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61608
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73559
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 106068
73 플라즈마 챔버 [화학반응 및 내열조건] [2] 1723
72 Remote plasma source의 주파수 400kHz 이유 [Remote plasma 이해] [1] 1661
71 DBDs 액츄에이터에 관한 질문입니다. [Plasma actuator와 DBD 방법] [3] 1642
70 dbd-플라즈마 질문있어욤!!!!! [플라즈마 생성 반응] [1] file 1630
69 RF Generator 주파주에 따른 Matcher Vms 변화 [주파수에 따른 임피던스 변화] [1] 1610
68 수방전 플라즈마 살균 관련.. 문의 드립니다. [플라즈마 기술 센터 문의] [1] 1602
67 micro plasma에 사용되는 전력을 알고 싶습니다. [Wave guide 설계 및 matcher 설계] [1] 1568
66 ICP Chamber Type의 Belljar Arcing관련 문의드립니다. [국부 전기장 형성 및 reflect power] [2] 1541
65 공정플라즈마 [플라즈마 입자 거동 및 유체 방정식] [1] 1473
64 anode sheath 질문드립니다. [Sheath 형성 메커니즘] [1] 1472
63 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [DBD] [1] 1455
62 CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [Self bias] [1] 1421
61 HEATER 교체 이후 SELF BIAS 상승관련 문의 [Self bias와 dummy 공정] [1] 1411
60 CCP Plasma 해석 관련 문의 [Diffusion] [1] file 1400
59 반도체 METAL ETCH시 CH4 GAS의 역할 [플라즈마 식각기술] [1] 1283
58 ICP Dry Etch 진행시 정전기 발생에 관한 질문입니다. [국부 전기장 형성 및 edge 세정] [1] 1257
57 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [ICP, CCP 플라즈마 heating] [1] 1256
56 Si Wafer에 Plasma를 처리했을때 정전기 발생 [Particle 관리] [1] 1226
55 플라즈마 구에서 나타나는 현상이 궁금합니다. [Breakdown condition 및 Paschen's law] [1] 1218
54 Tungsten 표면 Contamination 제거(실명재등록) [Atmostpheric pressure plasma jet] [1] 1211

Boards


XE Login