CCP CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점.
2010.01.28 19:44
안녕하세요? 궁금한게 있어서 여쭤봅니다.
Source는 CCP방식입니다. 13.56MHz로 구동되고 matcher 단에서 low pass filter를 통해 나오는 Vdc 값을 모니터링합니다.
그런데 Source 전극에 anodizing처리를 했는데 품질이 좋지 못한 anodizing의 경우에는 Vdc 값이 "-"로 뜨는데 고품질 anodizing의 경우에는 "+"값을 띕니다.
고품질의 경우에는 CCP 소스면에서 완전히 floating되어서 그러는것 같은데
정확한 메카니즘을 이해할 수 없어서 문의드립니다.
왜 "+"값을 나타내는지에 대해 설명해 주실수 있는지요?
플라즈마 방전은 저품질이나 고품질 모두 이상없이 뜹니다.
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] | 76875 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20274 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57199 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68752 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92698 |
22 | Plasma에 의한 분해 및 치환 반응(질문) [1] | 517 |
21 | 수중방전에 대해 질문있습니다. [1] | 516 |
20 | plasma striation 관련 문의 [1] | 485 |
19 | Tribo-Plasma 에 관해서 질문드리고 싶습니다. | 469 |
18 | 안녕하세요 CLEAN GAS 관련 질문이 있습니다. [1] | 451 |
17 | H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [1] | 436 |
16 | ICP 방식에서 RF Foward Power를 상향하면 ER이 빨라지는 이유 [1] | 370 |
15 | 플라즈마 에너지가 온도를 높혀주는 역할 [1] | 328 |
14 | 대기압 플라즈마 문의드립니다 [1] | 255 |
13 | 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] | 192 |
12 | ICP에서의 Self bias 효과 [1] | 188 |
11 | CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여 [2] | 186 |
10 | skin depth에 대한 이해 [1] | 169 |
9 | ICP에서 전자의 가속 [1] | 162 |
8 | CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [1] | 150 |
7 | Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] | 120 |
6 | 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] | 117 |
5 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 94 |
4 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 92 |
3 | Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [1] | 60 |