늦었지만 친절한 답변 감사드립니다.

한가지 더 문제되는 것이 있는데요, 최근 고객사 설비에서 PM 초기의 RF VDC 값이 높은 것 때문에 공정 불량이 발생하고 있습니다.

VDC 값은 양 극 사이(여기서는 STG HEATER 와 SHOWERHEAD 가 되겠지요)의 DC BIAS 크기와 관련이 있고 이것은 

CH 의 CAP 값에 반비례하는 것으로 알고 있는데요(틀렸다면 지적 부탁드립니다).... 그렇다면 cap 값이 커질수록 vdc 값이 작아지므로 결국 유전율이 커질수록, 전극 사이 거리가 짧아질수록 vdc 값은 작아진다... 이렇게 결론을 내릴 수 있을 것 같습니다.

그런데 여기서 전극 사이의 거리는 막질이 아무리 쌓인다 한들 수 micro 수준이므로 의미가 없다고 보면 vdc 값을 줄일 수 있는 방법은 ㅗheater 와 showerhead 사이의 유전율을 크게 하는 것 밖에 없다고 생각이 듭니다.

여기서 문의드립니다.

1) 위에 제가 쓴 내용이 맞는지요? 유전율이 커질수록, 전극 사이 거리가 짧아질수록 vdc 값이 작아지는 건가요?

2) 유전율을 크게 할 수 있는 방법에는 어떤 것들이 있을까요? 플라즈마 gas 의 양, 압력 등등 precoating 조건을 바꿔서 유전율을 크게 할 수 있을까요?

3) 그 외 vdc 값에 영향을 주는 변수들은 어떤 것들이 있을까요?

다시 한 번 자세한 답변 부탁드립니다. 감사합니다.