Sheath LF Power에의한 Ion Bombardment

2021.06.24 22:36

PEOX 조회 수:1257

안녕하십니까 교수님!!.

가입없이 게시판으로 많은 가르침을 받아가다가 이제서야 질문이 있어 가입후 글을 쓰게 되었습니다.

 

PECVD에서..

HF는 electron 온도 증가로 인한 plasma density 향상

 

LF POWER의 증가는 ion bombardment 를 증가시켜 박막이 더 dense 해져 stress가 더 compressive쪽으로 간다라고 이해하는게 맞는 걸까요? 

density가 높아지는데 compressive한 stress를 가진다고 하는 매커니즘이 잘 이해가 되질 않습니다.

(density가 높으면 (더 빽빽하게 증착되면) 밀려서 사이드쪽으로 늘어날려고 해서 compressive 스트레스를 가진다라고 혼자 이해했는데 맞는건지요.

 

막질의 density가 올라가면 compressive한 스트레스를 가지는게 항상 그런건지

(원래 Tensile한 막질이더라도 LF power 증가하면 Compressive한 방향으로 바뀌나요?)

 

아니면 막질마다 그 효과가 다른건지 궁금합니다. 

 

 

 

추가로 HF영역에서는 frequency가 높으니 유효질량이 작고 mobility가 빠른 electron에 에너지를 더 가해주기 쉽고 

반대로 LF영역에서는  frequency가 낮으니 상대적으로 질량이 크고 느린 ion에 에너지를 가해주기 쉽다고 이해하는게 맞는걸까요?

 

 

 

질문자체에 잘 못된 점이 있다면 바로 잡아주시면 감사하겠습니다!.  

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [179] 74896
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 18752
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56230
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 66712
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 88081
34 KM 모델의 해석에 관한 질문 [1] 391
33 RF 전압인가 시 LF와 HF 에서의 Sheath 비교 [1] 459
32 전쉬스에 대한 간단한 질문 [1] 482
31 프리쉬스에 관한 질문입니다. [1] 495
30 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [1] 603
29 교수님 질문이 있습니다. [1] 637
28 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 774
27 아래 382 번 질문에 대한 추가 질문 드립니다. [1] 892
26 wafer bias [1] 960
25 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 1055
» LF Power에의한 Ion Bombardment [2] 1257
23 쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문 [1] 1560
22 CVD 공정에서의 self bias [1] 2048
21 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리 [1] 2123
20 PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] 2352
19 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 2623
18 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4313
17 RF & DC sputtering에 대해 질문드립니다. [1] 8634
16 Sheath와 Darkspace에 대한 질문입니다. [1] 8694
15 Ion Energy와 RF matchin관련 질문입니다. [1] 9308
쓰기
태그

Boards

XE Login