self bias에 대해서 정확히 알고 계십니다. Matching network에 직렬C 가 있음으로 M/N을 사용할 때 Blocking C는 필요없게 됩니다.
아울러 Insulator를 Electrode위에 놓은 상태라면 이 Insulator가 C 역할을 하게 됨으로 이때도 Blocking C가 없어도 self bias가 형성됩니다. 또한 대부분의 반응기에 전극들의 면적비가 상당합니다. 이유는 반응용기 자체를 접지 전극으로 생각학 수 있기 때문입니다.
이점 참고하시기 바랍니다.
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [220] | 75432 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 19168 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56480 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 67563 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 89370 |
| 35 | Self Bias | 36280 |
| 34 | sheath와 debye shielding에 관하여 | 27400 |
| 33 | self bias (rf 전압 강하) | 26444 |
| 32 | plasma and sheath, 플라즈마 크기 | 23831 |
| 31 | 플라즈마 쉬스 | 23751 |
| 30 | self Bias voltage | 23652 |
| 29 | floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [2] | 22703 |
| 28 | CCP 에서 Area effect(면적) ? | 21235 |
| 27 | RF plasma에 대해서 질문드립니다. [2] | 20784 |
| 26 | 이온주입량에 대한 문의 | 20648 |
| » | self bias [1] | 19300 |
| 24 | ICP에 대하여 | 18133 |
| 23 | [기초]CCP Type에서의 Self-Bias(-Vdc) + Vp (plasma potential) 관련 질문입니다. [1] | 12523 |
| 22 | DC bias (Self bias) [3] | 10906 |
| 21 | Ion Energy와 RF matchin관련 질문입니다. [1] | 9392 |
| 20 | RF & DC sputtering에 대해 질문드립니다. [1] | 8794 |
| 19 | Sheath와 Darkspace에 대한 질문입니다. [1] | 8778 |
| 18 | Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] | 4469 |
| 17 | plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] | 2924 |
| 16 | CVD 공정에서의 self bias [1] | 2493 |