플라즈마 기초부분에서 에너지 분포와 이온화에 대한 질문입니다.
전자온도와 이온화 에너지가 주어져 있을때 에너지 분포(EEDF)를 이용한다면 전자의 약 %가 이온화에 기여하는지 어떻게 알 수 있는지요?
<구체적인 식이 궁금합니다. 예를 들어 전자온도가 3V , 이온화에너지가 약 15V라 한다면)
일정한 부피에 전자의 갯수가 정해져있을때 온도의 단위가 V(볼트)로 주어진다면 운동에너지를 어떻게 구할 수 있을까요?
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] | 76739 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20207 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57168 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68703 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92291 |
| 101 | Microwave & RF Plasma [1] | 115 |
| 100 | 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] | 124 |
| 99 | DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] | 137 |
| 98 | 플라즈마 밀도와 라디칼 [1] | 212 |
| 97 | Plasma 장비 소재 특성 관련하여 문의드립니다. [1] | 309 |
| 96 | E-field plasma simulation correlating with film growth profile [1] | 316 |
| 95 | Massbalance equation 에서 P(t) 유도과정 | 341 |
| 94 |
입자에너지에따른 궤도전자와 핵의 에너지loss rate
 | 373 |
| 93 |
염소발생 전기분해 시 스파크 발생에 관해 질문드립니다.
[1] | 390 |
| 92 | VPS 공정에서 압력변수관련 질문입니다. [1] | 426 |
| 91 | 크룩수의 음극선도 플라즈마의 현상인가요? [1] | 432 |
| 90 | Fluoride 스퍼터링 시 안전과 관련되어 질문 [1] | 455 |
| 89 | 자외선 세기와 결합에너지에 대해 질문드립니다. [1] | 484 |
| 88 | 플라즈마 세정처리한 PCB, Lead Frame 재활용 방법 [1] | 484 |
| 87 |
안녕하세요. 자문을 구할 수 있을지 궁금합니다.
[1] | 507 |
| 86 | 플라즈마를 통한 정전기 제거관련. [1] | 708 |
| 85 | 코로나 전류가 0가까이 떨어지는 현상 [1] | 709 |
| 84 | Ion과 Radical의 이동 거리 및 거리에 따른 농도와 증착 품질 관련 [1] | 737 |
| 83 | 플라즈마 충격파 질문 [1] | 794 |
| 82 | 플라즈마 장치 관련 기초적 질문입니다. [1] | 824 |
전자의 에너지 분포함수를 Maxwell 분포로 가정하고 계산을 시작해 보세요. 에너지 함수로 변경하면 편리하며, 적분 구간을 이온화 에너지 부터 무한대 에너지까지로 적분해서 얻어지는 값이 이온화에 참여할 수 있는 전자 비율이 될 것입니다. 여기에 플라즈마 밀도와 플라즈마 부피를 곱하면 갯수가 되겠습니다. (전자 분포식은 모든 교재에서 쉽게 찾을 수 있겠습니다.)
만일 이들 전자들의 평균 운동에너지는 열에너지의 root 값으로 가늠해도 크게 무리가 없습니다. 즉 v_th = sqrt (Te/전자질량).
여기서 한 걸음 나가 보면, 일반적으로 공정 플라즈마에서는 Maxwell 분포를 벗어나는 경우가 많으면 이온화 에너지가 13eV 이상이므로
이 에너지 이상의 전자 수는 확률적으로 보면 매우 낮습니다. 이 영역의 전자 (이름하여 분포의 끝자락에 놓인 전자, 즉 tail 전자라 부르거나 high energy electron들이라 불림)의 미세한 변화가 플라즈마 밀도를 바꾸게 되고, 공정의 변화가 유발되기도 합니다. 따라서 공정 플라즈마에 관심이 있으면 이 tail의 변동에 주목해야 합니다.