Others O2 플라즈마 클리닝 관련 질문

2018.04.07 12:33

이도윤 조회 수:1531

안녕하세요.

대학원에서 실험을 하고 있는 대학원생입니다.

현재 Ge, Si wafer와 같은 여러가지 기판에 증착된 300nm Ni film을 thermal release tape를 이용하여 떼어낸 뒤, Si/SiO2 기판으로 전사하여 가열해 줌으로써 thermal tape를 제거하는 작업을 하고 있습니다.

tape를 제거한 뒤에 Ni 표면에 tape 잔여물들이 많이 남아 있어서 O2 플라즈마로 잔여물을 제거하려 하고 있는데요.

이상하게도, 전사 과정에서 Si/SiO2 기판에 묻어있던 tape 잔여물들은 1시간 이내에 완전히 제거가 되는데 Ni 표면에 있는 tape 잔여물들은 같은 조건에서 4시간 이상까지 플라즈마 처리를 하여도 잔여물이 전혀 줄어들지를 않습니다.

원인과 해결 방법을 알 수 있을까요??

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [250] 76379
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19968
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57055
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68517
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91226
79 O2 Plasma 에칭 실험이요 [1] 940
78 진학으로 고민이 있습니다. [2] 1006
77 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 1016
76 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] 1098
75 Group Delay 문의드립니다. [1] 1128
74 RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] 1174
73 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요. [1] 1250
72 플라즈마 관련 교육 [1] 1357
71 플라즈마 내에서의 현상 [1] 1372
70 O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [1] 1393
69 강의를 들을 수 없는건가요? [2] 1431
» O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] 1531
67 질문있습니다. [1] 2508
66 Bias 관련 질문 드립니다. [1] 3316
65 Gas 별 Plasma 색 관련 질문입니다. [1] 3331
64 진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해 [1] 3576
63 ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] 3829
62 RF chamber에서.. particle(부유물) 와 RF reflect power연관성 [1] 4037
61 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] 5059
60 O2, N2, Ar 플라즈마에 대한 질문입니다. [2] 6017

Boards


XE Login