CCP PECVD와 RIE의 경계에 대해

2021.06.21 15:35

피했습니다 조회 수:1467

안녕하세요. PECVD 방식을 사용하는 반도체 장비 회사에 다니는 엔지니어입니다.

항상 많이 배우고 있습니다 .감사합니다.

 

이번에 여쭙고 싶은것은 PECVD가 어느 순간 RIE가 되는지 입니다.

 

말씀드렸다시피 저희 회사는 PECVD를 쓰고있고, 이는 양 전극의 크기가 동일하며 두 전극의 간극(Gap)이 작아서 Wall의 영향을 받지 않기 때문에 DC bias는 영향이 거의 없고 따라서 Ion bombardment는 일어나지 않고 라디컬에 의한 화학 반응이 주를 이루게 된다고 알고 있습니다.

 

그렇다는 것은 두 전극의 크기가 동일하더라도 Gap을 늘리면 DC bias 효과를 낼 수 있다는 말인 것 같은데,

Gap을 어느정도로 확보해야 PECVD가 아닌 RIE로 부를 수 있는 걸까요?

현재는 10mm이하로 Gap을 사용하고 있습니다.

 

혹시 안된다면 이유는 무엇이고 전극의 크기가 같은 CCP 구조에서 Ion Bombardment를 일으킬 수 있는 방법이 있는지 궁금합니다.

 

감사합니다!!!

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] 76871
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20273
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57199
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68751
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92694
28 RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] 90
27 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] 116
26 CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여 [2] file 186
25 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [1] 708
24 CCP RIE 플라즈마 밀도 [1] 584
23 plasma striation 관련 문의 [1] file 485
22 CCP Plasma 해석 관련 문의 [1] file 1017
21 CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다. [1] file 5081
20 연속 Plasma시 예상되는 문제와 횟수를 제한할 경우의 판단 기준 [1] file 599
19 CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [3] 3561
18 RF 전류가 흐르는 Shower head를 TC로 온도 측정 할 때 [1] 874
17 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] 2289
16 anode sheath 질문드립니다. [1] 1000
15 라디컬의 재결합 방지 [1] 806
» PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] 1467
13 CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [1] 989
12 좁은 간격 CCP 전원의 플라즈마 분포 논문에 대해 궁금한 점이 있습니다. [2] 16668
11 Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [1] 1325
10 HEATER 교체 이후 SELF BIAS 상승관련 문의 [1] 1072
9 에쳐장비HF/LF 그라운드 관련 [1] 19785

Boards


XE Login