안녕하세요. 

 

플라즈마 클리닝 설비를 다루고 있는 엔지니어입니다.

먼저, 전번에 로딩수에 따른 플라즈마 효과에 대해 질문을 드렸었는데

교수님께서 직접 답변 남겨주셔서 진심으로 감사드립니다.

 

금번에 고객으로부터 연속 Plasma에 관한 문의를 받았습니다.

문의 내용은 연속 플라즈마시 디스컬러나 표면 조성 변화, 등의 문제들이 예상되고 

이에 횟수를 제한해야할 수도 있는데 이 경우 어떠한 기준으로 판단해야 하냐는 것입니다.

 

설비는 CCP구조의 RIE 방식인 Plasma Cleaning 장비이며 Ar과 O2를 같이 사용하고 있습니다.

그리고 Sample은 PCB기판위에 Metal, Si Chip, SR (Solder Resist)이 노출되어 있습니다.

 

※ Sample 이미지

 

Sample.png

고객은 플라즈마 공정을 여러번 반복할시 아무래도 여러 문제들이 있지않을까 우려하고 있으며

횟수를 제한해야 한다면 어떠한 판단 기준을 갖고 해야할지 미리 가이드라인을 짜고 싶어하는거 같습니다.

 

Metal, Si Chip, SR (Solder Resist) 과 같이 다른 물질이 노출되어 있다보니 연속 플라즈마시 예상되는 문제도 다를것이며

문제가 없는 연속 플라즈마 공정을 찾기 위해서는 그 판단 기준도 다를 것이라 예상합니다.

 

플라즈마 전문가분들께 조언을 얻어 해결을 넘어 플라즈마에 대한 배움의 기회로 삼고 싶습니다.

그럼 답변 부탁드리겠습니다.

 

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [129] 5614
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16910
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51350
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64217
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84238
23 plasma striation 관련 문의 [1] file 169
» 연속 Plasma시 예상되는 문제와 횟수를 제한할 경우의 판단 기준 [1] file 354
21 CCP Plasma 해석 관련 문의 [1] file 363
20 라디컬의 재결합 방지 [1] 465
19 anode sheath 질문드립니다. [1] 515
18 CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [1] 515
17 RF 전류가 흐르는 Shower head를 TC로 온도 측정 할 때 [1] 520
16 Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [1] 693
15 HEATER 교체 이후 SELF BIAS 상승관련 문의 [1] 775
14 CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다. [1] file 880
13 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] 911
12 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] 1190
11 CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] 1271
10 CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [3] 2566
9 CCP에서 DIelectric(유전체)의 역활 [1] 7328
8 좁은 간격 CCP 전원의 플라즈마 분포 논문에 대해 궁금한 점이 있습니다. [2] 16149
7 CCP 의 electrode 재질 혼동 16211
6 에쳐장비HF/LF 그라운드 관련 [1] 16623
5 capacitively/inductively coupled plasma 17521
4 RF를 이용하여 Crystal 세정장치 [1] 18776

Boards


XE Login