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공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[313]
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [Lorentz force와 ExB drift 이해]
[1] | 184 |
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반사파에 의한 micro arc 질문 [VHF 전력 인가]
[2] | 199 |
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챔버의 Plasma density 확인방법 문의드립니다. [플라즈마 모니터링, OES, LP]
[1] | 263 |
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26 |
CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여 [HV probe 전압 측정]
[2]  | 316 |
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plasma striation 관련 문의 [Plasma striation]
[1] | 567 |
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연속 Plasma시 예상되는 문제와 횟수를 제한할 경우의 판단 기준 [Plasma information과 monitoring]
[1] | 661 |
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CCP RIE 플라즈마 밀도 [Global model, Plasma generation, Ionization collision]
[1] | 668 |
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주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [ICP, CCP 플라즈마 heating]
[1] | 898 |
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라디컬의 재결합 방지 [해리 반응상수]
[1] | 909 |
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RF 전류가 흐르는 Shower head를 TC로 온도 측정 할 때 [TC gauge 동작 원리]
[1] | 962 |
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CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [Self bias]
[1] | 1115 |
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anode sheath 질문드립니다. [Sheath 형성 메커니즘]
[1] | 1130 |
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CCP Plasma 해석 관련 문의 [Diffusion]
[1] | 1138 |
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HEATER 교체 이후 SELF BIAS 상승관련 문의 [Self bias와 dummy 공정]
[1] | 1160 |
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Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [ESC와 Chamber impedance]
[1] | 1491 |
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PECVD와 RIE의 경계에 대해 [DC bias 형성 판단]
[1] | 1661 |
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CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [Breakdown과 impedance]
[3] | 1701 |
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CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [Paschen's Law, P-d 방전 곡선]
[1] | 2443 |
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CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [Breakdown 전기장, 아크 방전]
[3] | 3742 |
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CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다.[CCP와 Vdc, Vpp]
[1] | 6107 |
