안녕하십니까. 플라즈마 관련 회사를 다니는 사람입니다.

쉬스에 관해서 조금 공부를 하고 있습니다..

1. ccp방식에서 전극을 캐소드, 애노드 라고 표현하는 이유를 알고 싶습니다. 배터리와 같은 관점으로 전류가 나오는 곳을 캐소드라고 하는건가요?

2. 캐소드 쉬스가 애노드 쉬스 보다 두꺼운 이유는 무엇인가요?(단순히 A/C ratio때문인지...?), 두 전극의 면적차이가 같을 경우에도... 쉬스의 두께 차이가 존재하나요?

인터넷으로 블로그에 나와있는 글을 봤는데 거기서는, "양이온은 애노드로 접근하기 힘들겠지만, 전자들은 이보다 훨씬 빠르게 애노드로 들어갈수 있기 때문에, 그만큼 애노드에서는 중화되버리고, 전위의 차이가 매꿔지게 된다. 즉 , 쉬스 포텐셜의 차이가 줄어들게 되고, 얇은 쉬스가 될수 밖에 없다" 라고 되어있더라구요... 오히려 더 헷갈리는거 같습니다..

(쉬스라는것은 전자와 이온의 속도차이에 의해서, 전극 표면에 쌓인 음전하들로 대전되어, 전위가 플라즈마 보다 낮고, 전자는 들어가기 힘들고, 양이온은 많이 들어가는... 그러한 공간을 말하는것 아닌가요?)