안녕하세요, 전자공학과 3학년 학부생입니다.

최근 DC&RF glow discharge, Sheath, self bias 등에 대해 공부했는데, 대부분의 예시가 두개의 평행한 전극을 가진 CCP type으로 국한되어 있어, ICP 에 적용하여 생각하는 데 조금 헷갈리는 부분이 있어 질문 드립니다.

 

1. 찾아본 논문에 따르면 RF bias power를 인가할 수 있는 ICP-RIE system에서도 self bias 효과가 나타나는데, 접지로 연결된 반응기 자체가 또 다른 전극의 역할을 수행하는 것인가요? 

 

2. 또한 CCP에서는 Self bias로 인해 극대화된 Sheath와, Sheath의 oscillation으로 인해 전자가 가속되고 플라즈마가 형성 및 유지되는 메커니즘으로 알고있는데, ICP-RIE의 Self bias 효과는 단지 이온 에너지 조절 측면에서 의미를 가지는 것이 맞을까요? 

 

3. ICP에서 반응기가 접지로 연결된 경우, 전위가 0으로 고정되어  챔버 벽면의 Sheath에서는 oscillation이 발생하지 않는 것이 맞는지도 궁금합니다.

 

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [301] 78006
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20828
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57733
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69247
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93621
33 ICP에서 biasing 질문 [RF sheath와 self bias] [1] 61
32 micro arc에 대해 질문드립니다. [DC glow 방전과 breakdown 전기장] [1] 83
31 Ion 입사각을 확인하는 방법 문의드립니다 [식각 플라즈마의 가장자리 균일도 제어] [1] 79
30 skin depth에 대한 이해 [Stochastic heating 이해] [1] 268
» ICP에서의 Self bias 효과 [DC offset voltage와 floating potential] [1] 341
28 CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [식각 교재 참고] [1] file 267
27 ICP에서 전자의 가속 [Plasma breakdown 이해] [1] 223
26 ICP lower power 와 RF bias [1] 1567
25 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] 1219
24 ICP Dry Etch 진행시 정전기 발생에 관한 질문입니다. [1] 885
23 ICP 대기압 플라즈마 분석 [1] 750
22 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [1] 2464
21 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] 1714
20 ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] 1472
19 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [1] 1592
18 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [2] 2413
17 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] 2531
16 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 3958
15 ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] 1690
14 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 2498

Boards


XE Login