ICP CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다.
2024.03.25 14:17
COMSOL을 사용하여 CF4/Ar 플라즈마를 연구하던 도중 관련 논문을 읽었는데 다음과 같은 내용이 있었습니다.
논문 제목: 유체시뮬레이션을 통한 Ar/CF4 자화유도결합 플라즈마의 특성 연구
"SiO2와 달리 Si 식각과정에서 탄소가 식각에 참여할 수 없기 때문에 표면에 탄소 또는 불화탄소 계열 의 화학종들이 누적되려는 경향이 있다. 이는 식각 선택도를 얻 는 중요한 채널이 된다. 선택도를 증가시키기 위해서는 플라즈마 체적내의 불소 농도를 탄소 또는 불화탄소 계열의 중성 입자에 비해 감소시킬 필요가 있다[20]. 따라서 자화유도결합 플라즈마 는 탄소의 증가율이 불소의 증가율보다 높아 실리콘 식각 시 선 택도를 높일 수 있을 것으로 보여 진다."
위 내용에서 궁금한점이 3가지 있습니다.
1. SiO2와 달리 Si 식각과정에서는 탄소가 식각에 참여할 수 없기 때문에 라고 되어있는데 SiO2 식각에는 C가 참여할 수 있나요??
2. Si 표면에 탄소 및 불화탄소 화학종이 누적되면 식각 선택도가 중요한 이유가 무엇인가요?
3. 제가 이해한 내용은 "Si/SiO2 시각 시 Si 표면에는 탄소와 불화탄소 화학종에 의해 표면이 보호되어 F의 식각으로부터 보호, SiO2는 F에 의해 식각되어 선택비가 좋아진다" 라고 이해했는데 제가 이해한 내용이 맞나요??
시간 내어 읽어주셔서 감사합니다.
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관련 내용은 식각 교재에서 쉽게 찾을 수 있는 내용이니 식각 관련 교재를 참고하시면 좋겠군요. 시뮬레이션에 필요한 기반 지식을 쌓을 기회이니 놓치지 마시고요. 고전적으로 많이 보는 식각 관련 교재는 Manos/ Flamm 이 정리한 Plasma Etching - An introduction (Academic Press, 1989 NY) 추천합니다. Libermnan 의 Principles of Plasma Discharges and Material Processing 도 반드시 참고히고요. 플라즈마 환경에서 발생하는 재료 표면 현상입니다.